考虑室温下的这个范围下载流子主要由doping控制的问题：
1. 对于本征半导体来说，温度升高导致本征载流子浓度升高，从而电阻下降。
基本相关的公式是：
本来就有一个指数系数。
另一方面，能带与温度的关系（Bandgap Narrowing），Sentaurus默认是开启这个模型的，具体有两个参数控制。
还有载流子有效质量也与温度有关。
但总的来说还是温度升高，载流子浓度起高，倾向于电阻下降。
2. 对于掺杂的半导体，温度升高可能会导致载流子浓度升高，主要是由于incompleteionization。Sentaurus里需要定义比如简并系数，doping的能级以及其它相关参数。
有一个比较重要的图（虽然比较粗略），描述载流子浓度和温度的关系，在Chenmin-Hu的那本modern semiconductor devices for integrated circuits第一章节，主要是考虑本征浓度和doping的一个关系。以N-type doping为例，当温度超低时(cryogenic temperature)，freeze-out region, 温度升高可以提高doping ionization，这时ln(n)与1/T的斜率是(Eg-Ed)/2k; 当室温时，载流子更多由doping决定，所以变化较小。而当温度更高时，本征载流子又占主导，这时斜率是Eg/2k;
综合上面来说，温度升高导致载流子浓度上升。
但另一方面，温度会导致mobility下降。Sentaurus里面对于mobility的建模，如果使用默认模型，constantmobility，那么就是会随温度上升而下降。不过更进一步的，还有关于 doping，载流子浓度的影响。
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实际器件实测发现在没有光照情况下，温度基本不怎么改变电阻（300K>>350K）。而如果在光照条件下，提高温度导致电阻升高。通过sentaurus也可以模拟出来这一问题。
黑暗条件下，温度不改变电阻说明大概carrier concentration和mobility的影响相互抵消。而在光照条件下，如果考虑Quasi-Fermi level的分离，升高漫度显然是会quasi-Fermi
1. 对于本征半导体来说，温度升高导致本征载流子浓度升高，从而电阻下降。
基本相关的公式是：
本来就有一个指数系数。
另一方面，能带与温度的关系（Bandgap Narrowing），Sentaurus默认是开启这个模型的，具体有两个参数控制。
还有载流子有效质量也与温度有关。
但总的来说还是温度升高，载流子浓度起高，倾向于电阻下降。
2. 对于掺杂的半导体，温度升高可能会导致载流子浓度升高，主要是由于incompleteionization。Sentaurus里需要定义比如简并系数，doping的能级以及其它相关参数。
有一个比较重要的图（虽然比较粗略），描述载流子浓度和温度的关系，在Chenmin-Hu的那本modern semiconductor devices for integrated circuits第一章节，主要是考虑本征浓度和doping的一个关系。以N-type doping为例，当温度超低时(cryogenic temperature)，freeze-out region, 温度升高可以提高doping ionization，这时ln(n)与1/T的斜率是(Eg-Ed)/2k; 当室温时，载流子更多由doping决定，所以变化较小。而当温度更高时，本征载流子又占主导，这时斜率是Eg/2k;
综合上面来说，温度升高导致载流子浓度上升。
但另一方面，温度会导致mobility下降。Sentaurus里面对于mobility的建模，如果使用默认模型，constantmobility，那么就是会随温度上升而下降。不过更进一步的，还有关于 doping，载流子浓度的影响。
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实际器件实测发现在没有光照情况下，温度基本不怎么改变电阻（300K>>350K）。而如果在光照条件下，提高温度导致电阻升高。通过sentaurus也可以模拟出来这一问题。
黑暗条件下，温度不改变电阻说明大概carrier concentration和mobility的影响相互抵消。而在光照条件下，如果考虑Quasi-Fermi level的分离，升高漫度显然是会quasi-Fermi