覆铜陶瓷基板(Direct Plating Copper,
DPC)工艺:是一种用于制备高密度电子封装材料的工艺方法。
该工艺是微电子制造中进行金属膜沉积的主要方法,主要用蒸发、磁控溅射等面沉积工艺进行基板表面金属化,先是在真空条件下溅射钛,然后再是铜颗粒,最后电镀增厚,接着以普通pcb工艺完成线路制作,最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度。
工艺中的具体步骤和参数可能因制造商和具体产品而有所差异,需要根据实际情况进行调整和优化。

覆铜陶瓷基板(DPC)工艺具有以下优势:
优异的导热性能:DPC基板采用陶瓷作为基材,具有良好的导热性能,能够有效传导和散热高功率电子器件产生的热量,提高器件的可靠性和性能。
高频特性优越:DPC基板具有较低的介电常数和介电损耗,能够在高频率和微波频段中实现较低的信号传输损耗,使其适用于高频和射频应用。
高密度封装能力:DPC基板具有较高的线路密度和细线宽/细线距能力,能够实现更紧凑的电路布局和更高的线路密度,有利于小型化和集成
工艺中的具体步骤和参数可能因制造商和具体产品而有所差异,需要根据实际情况进行调整和优化。
覆铜陶瓷基板(DPC)工艺具有以下优势:
优异的导热性能:DPC基板采用陶瓷作为基材,具有良好的导热性能,能够有效传导和散热高功率电子器件产生的热量,提高器件的可靠性和性能。
高频特性优越:DPC基板具有较低的介电常数和介电损耗,能够在高频率和微波频段中实现较低的信号传输损耗,使其适用于高频和射频应用。
高密度封装能力:DPC基板具有较高的线路密度和细线宽/细线距能力,能够实现更紧凑的电路布局和更高的线路密度,有利于小型化和集成
