碳化硅微粉的应用一直得到大家的关注，就是因为其利用价值相当高，尤其是随着市场发展，大家注意到碳化硅资源是可利用资源，因此为了进一步提升碳化硅的应用，我们必须通过科技利用另外一种方法货更多方法来生产碳化硅粉，碳化硅粉末的合成方法，经过大量的实验总结：
合成碳化硅粉末的方法主要有固相法、液相法和气相法三种。
（1）固相法是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉和炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而制得碳化硅细粉。可以通过机械法将艾奇逊法或ESK法冶炼的碳化硅加工成SiC细粉。目前该方法制得的细粉表面积1~15m2/g,氧化物含量1.0%左右，金属杂质含量1400~2800ppm（1ppm=10-6）。其细度和成分取决于粉碎、酸洗等后续处理工艺和手段。碳化硅粉末也可以由竖炉或高温回转窑连续化生产，可获得高质量的b-SiC粉体。SiO2细粉与碳粉混合料在竖炉的惰性气氛中，在低于2000℃的温度下发生热还原反应，合成b-SiC粉体。所获得的碳化硅的粒度为微米级。但往往含有非反应的SiO2和C，需进行后续的酸洗和脱碳处理。利用高温回转窑也可生产出高质量的碳化硅细粉。
（2）液相反应法可制备高纯度、纳米级的SiC微粉，而且产品均匀性好，是一种具有良好发展前景的方法。液相反应法制备SiC微粉主要分为溶胶-凝胶法和聚合物热分解法等。溶胶-凝胶法制备SiC微粉的核心是通过溶胶-凝胶反应过程，形成Si和C在分子水平上均匀分布的混合物或聚合物固体，升温过程中，首先形成SiO2和C的均匀混合物，然后在1400~1600℃温度下发生碳热还原反应生成碳化硅。
（3）聚合物热分解法主要是指加热聚硅烷等聚合物，放出小单体，形成Si-C骨架。由热解法制备的SiC均为b-SiC。如果热解温度低于1100℃，则为无定形SiC。 气相法是用含硅的原料和含碳的原料通过气相反应生成SiC。根据加热方式的不同可分为电阻炉和火焰加热法、等离子和电弧加热法、激光加热法等。
通过以上的方法，我们可以充分的利用碳化硅资源，延伸出更大的发展空间。在保护原来的碳化硅资源的同时也进一步促进了碳化硅系列
（1）固相法是通过二氧化硅和碳发生碳热还原反应或硅粉和炭黑细粉直接在惰性气氛中发生反应而制得碳化硅细粉。可以通过机械法将艾奇逊法或ESK法冶炼的碳化硅加工成SiC细粉。目前该方法制得的细粉表面积1~15m2/g,氧化物含量1.0%左右，金属杂质含量1400~2800ppm（1ppm=10-6）。其细度和成分取决于粉碎、酸洗等后续处理工艺和手段。碳化硅粉末也可以由竖炉或高温回转窑连续化生产，可获得高质量的b-SiC粉体。SiO2细粉与碳粉混合料在竖炉的惰性气氛中，在低于2000℃的温度下发生热还原反应，合成b-SiC粉体。所获得的碳化硅的粒度为微米级。但往往含有非反应的SiO2和C，需进行后续的酸洗和脱碳处理。利用高温回转窑也可生产出高质量的碳化硅细粉。
（2）液相反应法可制备高纯度、纳米级的SiC微粉，而且产品均匀性好，是一种具有良好发展前景的方法。液相反应法制备SiC微粉主要分为溶胶-凝胶法和聚合物热分解法等。溶胶-凝胶法制备SiC微粉的核心是通过溶胶-凝胶反应过程，形成Si和C在分子水平上均匀分布的混合物或聚合物固体，升温过程中，首先形成SiO2和C的均匀混合物，然后在1400~1600℃温度下发生碳热还原反应生成碳化硅。
（3）聚合物热分解法主要是指加热聚硅烷等聚合物，放出小单体，形成Si-C骨架。由热解法制备的SiC均为b-SiC。如果热解温度低于1100℃，则为无定形SiC。 气相法是用含硅的原料和含碳的原料通过气相反应生成SiC。根据加热方式的不同可分为电阻炉和火焰加热法、等离子和电弧加热法、激光加热法等。
通过以上的方法，我们可以充分的利用碳化硅资源，延伸出更大的发展空间。在保护原来的碳化硅资源的同时也进一步促进了碳化硅系列