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2020北京理工大学集成电路工程考研专业课大纲、参考书、真题答题方法

2019-08-23 09:56阅读:
887 电子科学与技术基础
1. 考试内容
1)电子技术基础部分
主要包括二极管、三极管的结构、特性及主要参数;掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点。反馈的基本概念:正、负反馈;电压、电流、串联、并联负反馈;掌握反馈类型和极性判断,引入负反馈对放大性能的影响。比例、加减、微积分线性运算电路。一般了解对数、指数运算电路的工作原理及一阶、二阶有源滤波器的电路组成、频率特性。了解产生自激振荡的条件。掌握电压比较器,用电压比较器组成的非正弦发生电路。掌握逻辑代数的基本公式、基本规则;逻辑代数的表示方法及相互转换。掌握各种门的逻辑符号、功能、特点、使用方法。正确理解TTL门和CMOS门电路的结构、工作原理。
2)电磁场理论部分
主要考察考生对电磁理论基本内容的理解和掌握程度,以及灵活应用知识的能力。试卷命题对大纲内容有覆盖性和广泛性,题型主要包括概念题、计算题和证明推导题。应掌握的基本内容为:矢量分析:三种常用坐标系内的梯度、散度和旋度的运算、几种重要矢量场的定义和性质;静电场:库仑定律、电场与电场强度、高斯定律、静电场的环路定律、电位和电位差、电位的泊松方程和拉普拉斯方程、电偶极子、电介质中的静电场、静电场中的导体、电场能量与静电力;
恒定电场和电流:恒定电流场的基本定律、欧姆定律和焦耳定律、恒定电流场的边界条件、恒定电流场与静电场的类比;恒定磁场:安培磁力定律和毕奥---沙伐定律、恒定磁场的基本定律、矢量磁位和标量磁位、磁偶极子、磁介质中恒定磁场基本定律、磁介质的边界条件;静态场的边值问题:拉普拉斯方程的分离变量法、镜象法、有限差分法;电磁感应:法拉第电磁感应定律、电感、磁场的能量;时变电磁场:位移电流和推广的安培回路定律、麦克斯韦方程组、正弦电磁场、媒质的色散与损耗、坡印廷定理、电磁场的波动方程、标量位和矢量位、时变电磁场的边界条件;平面电磁波:理想介质中的均匀平面电磁波、电磁波的极化、有耗媒质中的均匀平面电磁波、理想媒质界面上电磁波的反射和折射、全折射和全反射;导行电磁波:矩形波导管中的电磁波、TE10模电磁波、波导中的能量传输与损耗、传输线上的TEM波、谐振腔;电磁波辐射:赫芝偶极子辐射、磁偶极子天线的辐射、线天线、天线的方向性系数和增益。
3)半导体物理部分
主要包含半导体中的电子状态半导体中的电子状态和能带、电子的运动本征半导体的导电机构、空穴回旋共振硅和锗的能带结构半导体中的杂质和缺陷能级硅、锗晶体中的杂质能级、缺陷、位错能级半导体中载流子的统计分布、状态密度,费米能级、载流子浓度的计算,简并半导体载流子的位移与扩散运动,载流子的散射、迁移率、电阻率、强场效应、热载流子、多能谷散射,耿氏效应非平衡载流子的注入,复合寿命,费米能级,复合理论,陷阱效应,载流子的迁移运动,爱因斯坦关系,连续性方程PN结的伏安特性,PN结电容,击穿金属和半导体的接触的理论,少子的注入与欧姆接触表面态,表面场效应,C-V特性,表面电场对PN结特性的影响半导体的光学性质,光电性质,发光现象,半导体激光器半导体的热电性质,温差电动势率,热电效应及其应用半导体磁效应和压阻效应。
2. 考试要求
(1) 电子技术基础部分要求全部考生必做;
(2) 电磁场理论部分(A)要求报考02 电磁仿真与天线、03 毫米波太赫兹技术与系统方向考生必做;
(3) 半导体物理部分(B)要求报考04 微电子与集成电路方向考生必做;
(4) 报考其他方向考生可任选A或B。
3. 题型及分值安排
(1) 题型:简答题和计算题。简答题包含概念题和重要数学公式及其物理意义,计算题包含数学模型、重要物理量计算、设计等。
(2) 分值安排:简答题占40%,计算题占60%。
参考书目
(1)模拟电路基础;(2)半导体物理学;(3)电磁场理论基础。 (1)北京理工大学出版社;(2)国防工业出版社;(3)北京理工大学出版社。 (1)吴丙申,卞祖富;(2)刘恩科,朱秉升,罗晋生等;(3)陈重,崔正勤。 (1)1997(2)1994(3)2003

2020专业课考研真题答题黄金攻略
名师点评:认为只要专业课重点背会了,就能拿高分,是广大考生普遍存在的误区。而学会答题方法才是专业课取得高分的关键。下面易研老师以经常考察的名词解释、简答题、论述题、案例分析为例,来讲解标准的答题思路。
(一) 名词解析答题方法
考研名师答题方法点拨
名词解释最简单,最容易得分。在复习的时候要把参考书中的核心概念和重点概念夯实。
5-10年的真题是复习名词解释的必备资料,通过研磨真题你可以知道哪些名词是出题老师经常考察的,并且每年很多高校的名词解释还有一定的重复。我们的考研专业课对每个科目都收集了重点名词,不妨作为复习的参考。
专业课辅导名师解析:名词解答题方法上要按照核心意思+特征/内涵/构成/案例,来作答。
回答出名词本身的核心含义,力求尊重课本。这是最主要的。
简答该名词的特征、内涵、或者其构成、或者举一个案例加以解释。如果做到,基本上你就可以拿满分。
ƒ如果除非你根本不懂这个名词所云何事,或者压根没见过这个名词,那就要运用类比方法或者词义解构法,去尽可能地把握这个名词的意思,并组织下语言并加以润色,最好是以很学术的方式把它的内涵表述出来。
名词解释答题示范
例如:A”。
第一,什么是A(核心意思,尊重课本)
第二,A的几个特征,不必深入解释。
第三,A5点内涵。
名词解释题答题注意事项
第一,控制时间作答。由于名词解释一般是第一道题,很多考生开始做题时心态十分谨慎,生怕有一点遗漏,造成失分,故而写的十分详细,把名词解释写成了简答或者论述,造成后面答题时间紧张,专业课老师提示,要严格控制在5分钟以内。
第二,专业课资深咨询师提醒大家,在回答名词解释的时候以150-200 字为佳。如果是A4 的纸,以5-8 行为佳。
(二) 名词辨析答题方法
考研名师答题方法点拨
这道题目可以作为“复合型名词解析”来解答。最主要的还是要解释清楚题目中的重要名词。
对于答题思路,还是按照我们总结的“三段论”的答题模式。 一般可以归类为“A是…”“A和B…”“AB和C”的关系三种类型,分别做答。
名词辨析答题示范
例如A就是B”。(专业课老师解析:这属于“A和B…”类型的题目)
第一,A的定义。
第二,B的定义。
第三,总结:AB的关系。
名词辨析题答题注意事项
第一,不能一上来就辨析概念之间的关系。如果先把题目中的相关概念进行阐释,会被扣除很多分数,甚至大部分分数,很多考生很容易忽视这一点。
第二,控制时间。辨析题一般是专业课考试最前面的题目,一般每道题350-400字就可以,时间控制在10分钟以内,篇幅占到A4纸的半页为佳。
(三) 简答题答题方法
考研名师答题方法点拨
简答题难度中等偏下,主要是考察考生对于参考书的重要知识点的记忆和背诵程度。往往是“点对点”的考察。一般不需要跨章节组织答案。因此,只要大家讲究记忆方法,善于记忆,记忆5-7遍,就可以保证这道题目基本满分。
简答题采用“定义+框架+总结”答题法。
首先把题干中涉及到的最重要的名词(也叫大概念)进行阐述,就像解答名词解释一样。这一环节不能省略,否则无意中丢失很多的分数,这是很多考生容易忽视的一点。
读懂题意,列要点进行回答。回答要点一般3-5 点,每条150-200字。
ƒ进行简单的总结,总结多为简单评析或引申。
答题示范
例如“简答A的职能。
第一,A的定义。(不能缺少)
第二,A3大职能。(主体部分)
第三,总结评析。
简答题答题注意事项
第一,在回答简答题的时候,要采取“总-分-总”答题结构。即在回答要点之前进行核心名词含义的阐释,最后写几句起总结的话,这样不会给人一种太突兀的感觉。
第二,在回答的时候字数一般在600-800 为佳,时间为15-20 分钟。通常字数应该是本题分值的至少30倍,即,1分至少30个字。
第三,如果课本没有明确答案,那你也不能拍脑门乱写,好的策略是向课本靠拢,将相关的你能够想到的内容往4×150里套就行了。关键在于有条理又能自圆其说,你如果能结构清晰、条分缕析的把题答完,你肯定可以得满分。
(四)论述题答题方法
考研名师答题方法点拨
论述题属于中等偏上难度的题目,分

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