高压MOS管1000V/2A
N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于LED照明驱动电源，充电桩等等。
高压MOS管1000V/2A
产品特点:
符合RoHS
RDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V
低栅极充电可尽量减少开关损耗
快速恢复体二极管
高压MOS管1000V/2A
高压MOS管1000V/2A
N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于LED照明驱动电源，充电桩等等。
高压MOS管1000V/2A
产品特点:
符合RoHS
RDS（ON）.typ=9.6Ω@VGS=10V
低栅极充电可尽量减少开关损耗
快速恢复体二极管
高压MOS管1000V/2A
高压MOS管1000V/2A