45W合封氮化镓方案开发/45W氮化镓快充设计指南

这款参考设计方案由初级氮化镓合封芯片CX75GD025E，同步整流控制器CX7539F和协议芯片CX2919C组成整套高效完整解决方案。 45W集成GaN MOS全套PD方案参考设计得益于电源主控使用了合封氮化镓芯片，使得该方案设计的电路十分精简，有效降低了设计与加工成本，缩短生产周期，从而让PD快充充电器做到了“小体积、大功率、更高性价比”这一特点。
45W集成GaN MOS全套PD方案参考设计模块整体小巧。

输出端焊接协议小板，设有单 USB-C 接口。

具体参数：
DEMO（L*W*H）:48*41*23mm
TYPE-C单口输出：5V3A,9V3A,12V3A,15V3A,20V2.25A 3.3-11V 3A ）（45W Max）
该套方案的核心元件是CX75GD025E合封氮化镓芯片，这是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流