浅析N沟道增强型MOS管的工作原理

　　1.vGs对i及沟道的控制作用
　　MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出，增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅源电压vcs=0时，即使一加上漏-源电压vDs，而且不论rps的极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，漏源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流ip≈0。

　　若在栅源极间加上正向电压，即vcs>0,则栅极和衬底之间的SiO2绝缘层中便产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向衬底的电场，这个电场能排斥空穴而吸引电子，因而使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，剩下不能移动的受主离子(负离子),形成耗尽层，同时P衬底中的电子(少子)被吸引到衬底表面。当vGs数值较小,吸引电子的能力不强时，漏源极之间仍无导电沟道出现，如图1(b)所示。vs增加时，吸引到P衬底表面层的电子就增多，当vcs达到某一数值时，这些电子在栅极附近的P衬底表面便形成一个N型薄层，且与两个N区相连通，在漏源极间形成N型导电沟道，其导电类型与P衬底相反，故又称为反型层，如图1(C)所示。vcs越大，作用于半导体表面的电场就越强，吸弓引|到P衬