通用MCUAEC-Q100-005_非易失性存储耐久试验_数据保持_EDR-HTDR_EDR-LTDR

AEC-Q100案例之通用MCU非易失性存储耐久试验(数据保持）AEC-Q100-005 EDR-HTDR及 AEC-Q100-005 EDR-LTDR
1. 非易失性存储耐久试验(数据保持）(EDR-HTDR)
1.1 测试信息
样品数量:每批80颗，3批次；共240颗待测芯片（实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test）
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +105
测试时间:1000小时
测试确认:芯片功能/性能测试（试验前后在室温、高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
1.2 设备与仪器
双层式高温试验箱
2. 非易失性存储耐久试验(数据保持）(EDR-LTDR)
2.1 测试信息
样品数量:每批80颗，3批次；共240颗待测芯片（实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test）
参考方法:AEC-Q100-005
测试温度:Ta = +25
测试时间:1000小时
测试确 :芯片功能/性能测试（试验前后在室温、高温分别进行电测。）
合格判据:所有待测物应通过芯片功能/性能测试
2.2 设备与仪器
双层式高温试验箱
本文参考链接：EDR-HTDR
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