IRF840中文参数 [MOSFET]

　　　　　　１）V DS :最大工作电压５００v
　　　　　 .２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。　
　　　　　　３）Ｖ GS 栅源电压 正负２０Ｖ　　
　　　　　　４）ＩＤ　２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ
　　　　　　５）ＩＤＭ最大工作电流３２Ａ　　
　　　　　　６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ　
　　　　　　７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns
　　　　　　８） 工作温度范围－６５－－－－１５０度
9)R DS D---S静态导通电阻0.85欧
　　要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID
　　MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相