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电子技术发展大事记

2011-04-17 13:35阅读:
1831年 法拉第提出电磁场理论
1846年 麦克斯韦预言了电磁波的存在
1888年 赫兹实验证明了电磁波的存在1895年 实现了无线电通讯
1901年 横跨大西洋无线电报成功
1905年 爱因斯坦阐述相对论——E=mc2
1906年 亚历山德森研制成高频交流发电机,德福雷斯特在弗菜明二极管上加栅极,制威第一只三极管
1917年 坎贝尔研制成滤波器
1919年 研究出超外差接收机
1922年 弗里斯研制成第一台超外差无线电收音机
1928年 发明了光电摄像管
1934年 劳伦斯研制成回旋加速器
1940年 帕全森和洛弗尔研制成电子模拟计算机
1941年 美国开始电视广播
1946年 第一台计算机诞生
1947年 肖克莱、巴丁和布拉顿发明晶体管;香农奠定信息论的基础
1947年 贝尔实验室的巴丁、布拉顿和肖克莱研制成第一个点接触型晶体管
1948年 贝尔实验室的香农发表信息论的论文,英国采用EDSAG计算机,这是最早的一种存储程序数字计算机
1949年 冯 诺伊曼提出自动传输机的概念
1950年 麻省理工学院的福雷斯特研制成磁心存储器
1950年 美国研制彩电成功
1951年 发明了面接触型晶体管
1951年:场效应晶体管发明;
1954年 贝尔实验室研制太阳能电池和单晶硅
1956年:C S Fuller发明了扩散工艺;
1958年 美国得克萨斯仪器公司和仙童公司宣布研制成第一个集成电路(小规模集成电路)集成度100
1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比
间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史;
1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺;
1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管;
1963年 实现利用卫星的电话通讯60年代 中规模集成电路集成度1000
1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺;
1964年:Intel摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍;
1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门);
1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司;
1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现;
1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明;
1972年 制成大规模集成电路
1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802;
1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世;
70年代 计算机辅助设计(CAD)阶段:用计算机辅助进行IC版图编辑、PCB布局布线,取代了手工操作。
1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临;
70年代末 超大规模集成电路集成度>100001981年 出现了多功能超大规模集成电路
1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC;
1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世;
1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM;
80年代 计算机辅助工程(CAE)阶段:与CAD相比,CAE除了有纯粹的图形绘制功能外,又增加了电路功能设计和结构设计,并且通过电气连接网络表将两者结合在一起,实现了工程设计。CAE的主要功能是:原理图输入,逻辑仿真,电路分析,自动布局布线,PCB后分析。
80年代 特大规模集成电路集成度>100000
1984年 制造出大功率集成电路
1985年 1兆位ULSI的集成度达到200万个元件 器件条宽仅为1微米
1985年:80386微处理器问世,20MHz;
1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段;
1989年:1Mb DRAM进入市场;
1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺;
1992年,16兆位的芯片集成度达到了3200万个元件,条宽减到0.5微米,而后的64兆位芯片,其条宽仅为0.3微米
1992年:64M位随机存储器问世;
90年代以后 电子系统设计自动化(ESDA)阶段:设计人员按照“自顶向下”的设计方法,对整个系统进行方案设计和功能划分,系统的关键电路用一片或几片专用集成电路(ASIC)实现,然后采用硬件描述语言(HDL)完成系统行为级设计,最后通过综合器和适配器生成最终的目标
1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺;
1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺;

1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺;
1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺;
2000年:1Gb RAM投放市场;
2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺;
2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。
2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。
2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。
2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。
2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺,并且下一代22纳米工艺正在研发。
2010年:实验室条件下15纳米工艺成功实现

如今,全面跨入信息时代,各项科研发展速度成指数型增长。

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