BJT和FET的比较
2010-05-28 16:31阅读：
電子學BJT與FET比較
項目
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BJT
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FET
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種類規格
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NPN、PNP兩種
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J-FET：僅空乏型，分N型、P型通道
MOS-FET：空乏與增強型，分N、P通道
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載子元件
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雙極性(導通時電子及電洞)
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單極性(導通時只有多數載子)
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控制電流
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電流控制(基極電流IB控制IC、IE電流)
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電壓控制(閘源極電壓VGS控制洩極電流IDS)
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參數
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4個(hi、hr、ho、hf)
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3個(μ、rd |
、g
m)
工作頻率
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高頻
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低頻
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接腳偏壓
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集極C與射極E不可對調
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源極S與洩極D濃度、大小皆相同可對調。
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高頻響應
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佳
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不佳
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操作速率
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快(唯一主要優於FET)
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慢
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雜訊
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大
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小
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熱穩定性
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低
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高
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熱跑脫
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有
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沒有
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漏電流
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有
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沒有
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抵補電壓
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有(矽Si約0.6~0.7、鍺Ge約0.2~0.3)
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沒有
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包裝密度
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低
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高(易積體化)
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受輻射線
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易
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不易
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增益頻寬
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大
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小
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放大電路
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CC、CB、CE
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CD對應CC、CG對應CB、CS對應CE
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接腳對應
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基極B=閘極G、集極C=D洩極、射極E=源極S
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隨耦器
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OPA電壓隨耦器、CC射極隨耦器、CD源極隨耦器àAV≤1、Rin=∞Ω、Ro=0Ω，阻抗匹配
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交換時間
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NPN > PNP > N-FET
> P-FET，速度N快於P、雙載快於單載、電子快於電洞
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輸入阻抗
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MOSFET1014>J-FET1012>OPA1010>靴帶式>達靈頓>CC>CE>CB
----BJT輸入阻抗約2KΩ
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一、比較BJT與FET基本放大電路
放大器
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接地端
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輸入端
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輸出端
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Ai
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Av
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Ap
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Rin
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Ro
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相位
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功用
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CB
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B
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E
|
C
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小α =1
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最大
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中等
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最低
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最高
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同
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射頻電路，頻率特性良好
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CE
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E
|
B
|
C
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大β
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大
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最大
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中等
|
中等
|
反
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使用最多，頻率特性差
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CC
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C
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B
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E
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最大γ
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小=1
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最小
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最高
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最低
|
同
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阻抗匹配，頻率特性良好
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放大器
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接地端
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輸入端
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輸出端
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Ai
|
Av
|
Ap
|
Rin
|
Ro
|
相位
|
功用
|
CG
|
G
|
S
|
D
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小=1
|
最大
|
中等
|
最低
|
最高
|
同
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高頻電路
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CS
|
S
|
G
|
D
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大
|
大
|
最大
|
中等
|
中等
|
反
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使用最多
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CD
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D
|
G
|
E
|
最大
|
小=1
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最小
|
最高
|
最低
|
同
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阻抗匹配
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二、阻抗匹配功能：
1.
對輸入端而言，避免負載效應；對輸出端而言，可獲得最大功率轉移。
2.
電壓增益約=1，輸出訊號與輸入訊號差不多，故有當緩衝器使用。
3.
輸入阻抗大，輸出阻抗小。
