晶体管高频小信号等效电路
晶体管在高频线性运用时，晶体管的内部参数将随工作频率而变化。因而必须讨论晶体管的高频等效电路。等效方法是：把晶体管看作四端（两端口）网络，四个参量
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晶体管在高频线性运用时，晶体管的内部参数将随工作频率而变化。因而必须讨论晶体管的高频等效电路。等效方法是：把晶体管看作四端（两端口）网络，四个参量
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中两个作自变量，另两个作为参变量的函数。在本课程所讨论的频率范围内，用的最多的是 y 参数等效电路和混合 π 等效电路。
一、y参数等效电路
如图，是晶体管及其 y 参数等效电路。
图
2-5 晶体管 y 参数等效电路
和
为自变量，则有：
(
2-12)
(2-13)其中，
称为输出短路时的输入导纳 ,
称为输入短路时的反向传输导纳；
称为输出短路时的正向传输导纳；
称为输路时的输出导纳。
二 混合л等效电路
混合л等效电路在低频中已介绍过，在此，本节仅对高频电子线路所对应的频率范围的混合л等效电路进行说明。
图 2-6 晶体管混合 л 等效电路
上图是晶体管混合 л 等效电路。其中
是发射结电阻。当工作于放大状态时，发射结是处于正向偏置，所以 数值很小，可表示为 
。 由于集电结处于反向偏置， 
的数值很大。 
表示晶体管放大作用的等效电流源，而
，表示晶体管的放大能力，称为跨导，单位为 S 。 因为
的值在所讨论的频率范围内比 
的容抗大得多， 通常对等效电路进行简化时用 代替
和
的并联电路。通常，在分析小信号谐振放大器时，采用 y 参数等效电路等效晶体管。但 y 参数是随工作频率不同而有所变化，不能充分说明晶体管内部的物理过程。而混合 л 等效电路用集中参数元件 RC 表示，物理过程明显，在分析电路原理时用的较多。
三 高频参数
图 2-7 晶体管高频参数特性
（一）截止频率fβ
β是晶体管发射极电流放大系数，其定义是，当 |β| 下降到低频电流放大系数 β 0 的
倍时，所对应的频率称为 β 的截止频率 f β 。