为什么经过软化处理的水也存在结垢沉积问题？

笔者从事流体的结垢控制和除垢研究工作近二十年了，碰到的大都是饱和水或高浓电解质的结垢沉积问题。但也有朋友提出经过软化处理的水在锅炉里也存在结垢问题，让人不好解释。在进入中国地质大学（武汉）学习珠宝鉴定课程中，接触到了矿物晶体的生长理论，似乎对这个问题有更深的理解。 首先学习两个晶体生长的界面模型。
1.完整光滑界面生长模型
此模型又称为成核生长理论模型，或科塞尔--施特兰斯基（Kossel Stranski）理论模型。该模型是1927年由科塞尔首先提出，后经过斯特兰斯基加以发展。
在晶核形成以后，结晶物质的质点继续向晶核上黏附，晶体得以生长，质点黏附就是按晶体格子构造规律排列在晶体上。质点向晶核上黏附时，在晶体不同部位的晶体格子构造对质点的引力是不同的。也就是说，质点黏附在晶体不同部位所释放出的能量是不一样的。由于晶体总是趋向于最小的内能。所以，质点在被黏附时，首先黏附在引力最大，可释放能量最大的部位，使之最稳定。
由此我们可以想象：在容器（锅炉，管道等）内，弯曲处，死角处最易黏附晶核。如果晶核足够多的话，那么在某一区域会出现一层一层累积的晶体，最后形成肉眼可以看见的结垢沉积物。
2.非完整光滑界面生长模型
此模型又称为螺旋生长理论模型，或BCF理论模型。该模型于1949年由弗朗克（Frank）首先提出，后由他本人及多人·完善。该理论模型认为，晶面上存在的螺旋位错露头点可以作为晶体生长的台阶源，促进光滑界面的生长。这种台阶源永不消失，因此不需要形成二维核。这一理论成功地解释了晶体在很低的饱和度下仍能生长，而且生长出光滑的晶体界面的现象。
如果在金属壁面上有一个麻点或不光滑点，就会有晶核的吸附，那么只要条件具备，晶体会无限制生长，最后形成