项目要求产生占空比很小的脉冲。FPGA令其高电平持续时间仅为60ns
可以达到要求。最初做测试的时候,输出幅度不够,加了三极管放大电路,但是由于三极管的关断时间不够,导致输出的脉冲展宽。于是尝试了两种加快三极管开启关断时间的方法。顺便将三极管的一些知识回顾一下。
1.三极管的三个区域,截至,放大,饱和。这些大学课程模电中都学过。那些发射结正片,集电结反偏,我一直记不太清楚 其实也不用那么记。知道什么样的情况下三极管工作在哪个区就是了。
三极管是电流控制器件,但仍然需要一个开启电压。加在be之间,如果be之间电压不够 你电流再大要白搭。有了开启电压(>0.7V)集电极电流随着基极的电流变化而变化。IC=B*IB B是放大倍数(手册中是HFE,以前一直以为这个是固定的,其实变化范围蛮大的)这时候是工作在放大区。那么什么时候进入饱和区?嘿嘿,当基极电流大到一定程度后,IC 可不是奉陪到底的,它大到一定程度就不再增加了。那它到底什么时候停止增大的呢?大家知道及集电极和发射极之间有个饱和管压降UCE,这个uce是随着IB 增加而减少的,当少到0.7V的时候,这个状态就是临界饱和了,当IB再增加一些的话,它还会再降低一些,这时候就是极限了,如果这时候再增加IB IC也不会增加了,UCE 也不会降了 我们说三极管现在饱和了。当UCE=0.7V的时候我们称为临界饱和,当UCE<0.7V的时候 我们称之为过饱和。
我们学模电的时候,经常算静态工作点,我记得我当时学习的时候,稀里糊涂的,不知道这个是干啥用的,现在明白了,说白了就是调整IB IC让三极管工作在你想要它工作的三个区域。比如说你用三极管进行小信号放大,那么你就让它工作在放大区,不能乱选电阻,否则它就有可能不在放大区,而工作在截止和饱和区,那么信号就会出现失真。
跑题了,那么如何让三极管开关速度最快呢?有一点就是让三极管工作在临界饱和区。如果三极管进入深饱和就会让开关速度变慢。
网上有两个电路提高三极管的开关速度。第一种是 在基极电阻上并联一个100p左右的电容(称为加速电容)。还有一种是在集电极和基极之间并一个肖特基二极管(如ss14)等等。这两种方式我都试验过,的确是有效果的,比如第二种,如果我的高脉冲是8us 经过三极管后是9.6us,如果加上肖
1.三极管的三个区域,截至,放大,饱和。这些大学课程模电中都学过。那些发射结正片,集电结反偏,我一直记不太清楚 其实也不用那么记。知道什么样的情况下三极管工作在哪个区就是了。
三极管是电流控制器件,但仍然需要一个开启电压。加在be之间,如果be之间电压不够 你电流再大要白搭。有了开启电压(>0.7V)集电极电流随着基极的电流变化而变化。IC=B*IB B是放大倍数(手册中是HFE,以前一直以为这个是固定的,其实变化范围蛮大的)这时候是工作在放大区。那么什么时候进入饱和区?嘿嘿,当基极电流大到一定程度后,IC 可不是奉陪到底的,它大到一定程度就不再增加了。那它到底什么时候停止增大的呢?大家知道及集电极和发射极之间有个饱和管压降UCE,这个uce是随着IB 增加而减少的,当少到0.7V的时候,这个状态就是临界饱和了,当IB再增加一些的话,它还会再降低一些,这时候就是极限了,如果这时候再增加IB IC也不会增加了,UCE 也不会降了 我们说三极管现在饱和了。当UCE=0.7V的时候我们称为临界饱和,当UCE<0.7V的时候 我们称之为过饱和。
我们学模电的时候,经常算静态工作点,我记得我当时学习的时候,稀里糊涂的,不知道这个是干啥用的,现在明白了,说白了就是调整IB IC让三极管工作在你想要它工作的三个区域。比如说你用三极管进行小信号放大,那么你就让它工作在放大区,不能乱选电阻,否则它就有可能不在放大区,而工作在截止和饱和区,那么信号就会出现失真。
跑题了,那么如何让三极管开关速度最快呢?有一点就是让三极管工作在临界饱和区。如果三极管进入深饱和就会让开关速度变慢。
网上有两个电路提高三极管的开关速度。第一种是 在基极电阻上并联一个100p左右的电容(称为加速电容)。还有一种是在集电极和基极之间并一个肖特基二极管(如ss14)等等。这两种方式我都试验过,的确是有效果的,比如第二种,如果我的高脉冲是8us 经过三极管后是9.6us,如果加上肖
