1（1234加负载）该电路为单向桥式逆变电路，当开关器件1,2和3,4轮流通断时，则可将直流电压Ui变换成负载两端的交流方法输出U0，U0由逆变器开关器件切换的频率决定。其U0波形如图所示。
若2开路或短路，则4不能导通，U0将不能成为交流电，即不能逆变
2，（变压器，两组晶闸管反向，12右，34左）该图为由变压器中间抽头的两组晶闸管单向全波电路反并联构成的单相交交变频器。设电阻负载，令正组和反组变流器一次各导通五个电源半周期，这时输出的交流频率为电网频率的五分之一，波形为脉动方波，其波形如下图所示。
3，（六晶闸管三电阻，无中线14,36,25反向接三相）上图为三相全波Y型交流调压主电路。图中没有中线，若要负载通过电流，则至少两相构成通路，即在三相电路中，至少要有一相晶闸管阳极正电压与另一相晶闸管阴极负电压的两只晶闸管同时导通。ABC三相电路中正相晶闸管VT1,VT3,VT5的触发信号相差120度，反向晶闸管VT2,VT4,VT6的触发信号相位也差120度，同一相位两管相差180度，即各晶闸管触发脉冲的序列应按VT1,VT2…VT6的次序，相邻两个晶闸管的触发信号相位差为60度。
4，（驱动电路）该电路为GTO基本缓冲电路，其原理是利用电感阻止电流变化和电容两端电压不能突变的特性，与器件串联的电感Ls1用以抑制di/dt(Ls1可视为附加电感和主电路布线电感之和)；抑制过压和du/dt则采用与器件并联的RCD典型回路，其中Cs延缓GTO阻断时端电压的建立；Rs限制GTO导通时Cs的放电电流，同时对Ls2，Cs的谐振起阻尼作用。VDs减小对CS放电过程对iT分流的影响。
5（VM在中间）该电路为升压式(boost)变换器。当VM管导通时，电源向电感储能，电感电流增加，感应电动势为左正右负，负载Z由电容C供电。当VM截止时，电感电流减少，感应电动势为左负右正，电感中能量释放，与输入电压顺极性一起经二极管向负载供电，同时向电容充电，这样便实现了升压，即输出电压平均值将超过电源电压Ui。
6，该电路正常工作时，通过R1,R2取得直流电，从R2上分压，经电压跟随器N1与比较器N2的设定电压值进行比较。当高于基准压时，N2输出高电平并自锁，使VT导通，KV动作，从而使KA跳开，同时指示OV亮灯，这就起到了保护作用。
若2开路或短路，则4不能导通，U0将不能成为交流电，即不能逆变
2，（变压器，两组晶闸管反向，12右，34左）该图为由变压器中间抽头的两组晶闸管单向全波电路反并联构成的单相交交变频器。设电阻负载，令正组和反组变流器一次各导通五个电源半周期，这时输出的交流频率为电网频率的五分之一，波形为脉动方波，其波形如下图所示。
3，（六晶闸管三电阻，无中线14,36,25反向接三相）上图为三相全波Y型交流调压主电路。图中没有中线，若要负载通过电流，则至少两相构成通路，即在三相电路中，至少要有一相晶闸管阳极正电压与另一相晶闸管阴极负电压的两只晶闸管同时导通。ABC三相电路中正相晶闸管VT1,VT3,VT5的触发信号相差120度，反向晶闸管VT2,VT4,VT6的触发信号相位也差120度，同一相位两管相差180度，即各晶闸管触发脉冲的序列应按VT1,VT2…VT6的次序，相邻两个晶闸管的触发信号相位差为60度。
4，（驱动电路）该电路为GTO基本缓冲电路，其原理是利用电感阻止电流变化和电容两端电压不能突变的特性，与器件串联的电感Ls1用以抑制di/dt(Ls1可视为附加电感和主电路布线电感之和)；抑制过压和du/dt则采用与器件并联的RCD典型回路，其中Cs延缓GTO阻断时端电压的建立；Rs限制GTO导通时Cs的放电电流，同时对Ls2，Cs的谐振起阻尼作用。VDs减小对CS放电过程对iT分流的影响。
5（VM在中间）该电路为升压式(boost)变换器。当VM管导通时，电源向电感储能，电感电流增加，感应电动势为左正右负，负载Z由电容C供电。当VM截止时，电感电流减少，感应电动势为左负右正，电感中能量释放，与输入电压顺极性一起经二极管向负载供电，同时向电容充电，这样便实现了升压，即输出电压平均值将超过电源电压Ui。
6，该电路正常工作时，通过R1,R2取得直流电，从R2上分压，经电压跟随器N1与比较器N2的设定电压值进行比较。当高于基准压时，N2输出高电平并自锁，使VT导通，KV动作，从而使KA跳开，同时指示OV亮灯，这就起到了保护作用。