模电疑难问题集中
2009-11-02 21:04阅读：
模电疑难问题集中
1、
可以说任何放大电路都有功率放大作用（对？错？）
2、 当信号频率f=f0时，RC串并联网络是（
）。A．容性 B. 阻性 C. 感性
D. 中性
3、
发光二极管在使用时，对入射光强度和环境温度没有要求。（对？错？）
4、
基本共射放大电路输出电压的波形出现负半周削波，可判断放大电路产生的失真为( ) A．频率失真
B．饱和失真
C．截止失真 D．交越失真
5、
用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管的电压，读数只有0.7伏，这表明该稳压管( )
A．工作正常 B．接反
C．已经击穿
6、
要使晶体管放大电路带负载能力强应选用（）A．共射电路
B．共基电路
C．共集电路
7、
br> 理想二极管正偏时当作短路，反偏时当作
，由此得到下列四图的输出电压大小分别为：（6、3、3、6）
8、三只三极管各极直流电位如表所示，由此可确定三极管所处的工作状态：
T1 放大
T2 截止
T3 饱和
9、
分析放大器动态工作情况有等效电路法和图解法两种方法，分别适用于小信号和大信号工作情况。
10、
判断下列电路能否放大交流信号（只有第4个能）
11、
功率放大器中的功率“放大”的实质是交流转换为直流。在乙类功率放大器中，两只三极管分别放大信号的正半周和负半周。
12、NPN型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真，它属
失真，消除该失真要
Rb的阻值。(
)
A.截止
增大
B.饱和
增大
C.截止
减小
D.饱和
减小
13、三极管的主要参数Iceo的定义是(
)。
A.集电极—发射极反向饱和电流
B.集电极—基极反向饱和电流
C.集电极最大允许电流
D.集电极—发射极正向导通电流
14、随着温度升高，二极管的反向电流将
。
15、放大电路输出端开路时的电压放大倍数比带上负载后的电压放大倍数________(大，小)
16、当温度升高时，三极管的下列参数变化趋势为：电流放大系数β
，反向饱和电流ICBO
，当IB不变时发射结正向电压VBE
。
17、功放电路中，输出功率最大时，功放管的损耗最大。（对？错？）
18、多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比它的任何一级都
。级数愈多则上限频率越
。
19、由于在功放电路中，功放管常常处于极限工作状态，因此，在选择功管时要特别注意
、
和
三个参数。
20、电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高
，因为电流源的
大。
21、在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（
A
）。
？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？？
A．NPN 型硅管
B.NPN 型锗管
C.PNP 型硅管
D.PNP 型锗管
22、某场效应管的转移特性如图所示，该管为（ D
）。
A．P沟道增强型MOS管
B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、N沟道耗尽型MOS管
23、三极管是
控制型器件，而场效应管是
控制型器件。
24、如果温度升高三极管的输出特性曲线将向________移动。
25、抑制零点飘移的电路称为___________________________.。
26、乙类互补对称功率放大电路将产生__________失真，而________互补对称功率放大电路，可以消除这种失真。
27、在多级放大电路中前级放大的工作点宜设置在较低位置。（对？错？）
28、尽管开关稳压电源的体积小、稳压范围宽但它的功率消耗很大。（对？错？）
29、二极管两端加正向电压时（
）
A.一定导通
B.超过死区电压时才能导通
C.超过0.7V才导通
D.超过0.3V才导通
30、在本征半导体中，自由电子的浓度
等于
空穴浓度。载流子的扩散运动是在
浓度差
作用下产生的，漂移运动是在
内电场
作用下产生的。PN结加正向电压时，空间电荷区将
变薄 。PN结加反向电压时，空间电荷区将
变厚
。
31、当电路闭环增益为40dB时，基本放大电路的A变化10%，A
f相应变化为1%，则此电路的开环增益为
60dB
。
32、硅是目前最常用的一种半导体材料。
33、半导体的导电性与电子有关。
34、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。
35、在半导体中掺杂是提高半导体导电能力的最有效方法。
36、由于电场作用而导致载流子的运动称为漂移。
37、载流子由高浓度向低浓度的区域扩散，形成的电流称为扩散电流。
38、PN结单向电性的关键在于它的耗尽区的存在，且其宽度随外加电压而变化。
39、二极管V—I特性的建模：理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型（各模型的电路模型和例题举例见课本75页）。
40、特殊二极管：齐纳二极管、变容二极管、肖特基二极管、光电子器件（包括光电二极管、发光二极管和激光二极管等）（各二极管的特性、用途和符号都要掌握，见课本84页）。
41、当BJT用作放大器件时，无论是NPN型还是PNP型，都应该将它们的发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
42、ICEO是集电极与发射极之间的反向饱和电流，常称为穿透电流。ICBO是集电极与基极之间的反向饱和电流。（它们只取决于温度和少数载流子浓度（在温度变化大的范围里选用硅管））
43、V(BR)EBO是指集电极开路时，发射极和基极之间的反向击穿电压。V(BR)CBO是指发射极开路时，集电极和基极之间的反向击穿电压(它取决于集电结的雪崩击穿电压)。V(BR)CEO是指基极开路时，集电极和发射极之间的反向击穿电压（这个电压的大小与BJT的穿透电流ICEO直接相联系，当管子的VCE增加，使ICEO明显增大时，导致集电结出现雪崩击穿）。
44、ICEO>ICER>ICES>ICBO…….V(BR)CEO <V(BR)CER
<V(BR)CES <V(BR)CBO
45、放大器产生非线性失真的原因是什么？（三极管的非线性？）
放大器产生频率失真的原因是电抗元件。怎么解释？
46、放大电路高频时的放大倍数下降是因为
的影响，低频时放大倍数下降是因为
的影响。（耦合电容和旁路电容；晶体管的非线性；极间和分布电容）。
47、若PNP型BJT共射放大器其输出电压波形出现顶部失真，则此失真为
（截止失真；饱和失真；交越失真）。应
Rb（增大；减小），则可消除其失真。
