一GaAs 射频开关原理
SOI（硅绝缘）开关晶体管的工作方式与 GaAs 器件相似。根据不同的门极电压，漏极和源极之间的通道处于低阻或高阻状态。SOI 晶体管需要在门极加正向电压以“打开”FET，加负向偏置以“关闭”FET。为方便使用开关，片上生成负向电压，并根据同样集成在片内的逻辑解码功能分配到正确的 FET 上。由于门极在绝缘体上，开关不需要悬浮于接地电位之上即可实现正向电压操作。这样还可以防止在射频线路上形成电压，因此开关不需要隔直电容。但电路其他部分的电压需要与 SOI 开关隔离开来。为了实现更高的功率容量，可以叠接 SOI FET 以分担它们之间的射频电压，同时相应地调整外围连接以保持较低的插入损耗。FET 采用与 GaAs 开关相同的串联和并联配置以这种方式配置元件，可以相对频率获得最佳的插入损耗和隔离度。使用适当数量的叠接 FET 和正确的外围连接，SOI 开关可以获得出色的线性度性能。图 3 显示的是 EVM性能的示例。