莫斯-布尔斯坦效应（moss-burstein effect）
由泡利不相容原理引起的，当在半导体中掺杂增加时其带隙改变，价带顶和导带中未占据能态发生分离。n型重掺杂时由于费米能级在导带中而使带隙改变加大（p型时在价带中），由于载子浓度过高，在导带已经有一些电子填入时，使电子从导带跃迁至价带则需要更多的能量，满带阻碍热激发和光激发，从而效应是n型半导体中可以增强能带间隙宽，从而影响某物质的荧光发射和紫外吸收的峰位置。该效应称之为Burstein Moss effect（莫斯-布尔斯坦效应），也称之为蓝移效应。其常用于荧光光谱的解释中。
n型半导体材料波长移动计算公式：ΔEBM=[1+（m*e）/(m*h)][(3/π)2/3(h2)/(8m*e)n2/3-4KT]
式中：h 普朗克常量；K，玻尔兹曼常数；T，绝度温度；n，导带电子载体数；m*e，m*h分别为电子和空穴的有效质量。
带隙变窄效应
半导体重掺杂时（>1020cm-3）,杂质能级扩展为能带，将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，以致使得能带尾和杂质能带重叠，结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg ，这就是带隙变窄效应。