JESD22-A108-B IC寿命试验标准

JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修订版。
标准内适用的文件：
EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits
EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices(硅半导体器件的失效机理和模型)
试验室温度应保持在特定温度的+/- 5℃内
最大电源电压应遵守规格书内的规范；绝对最大额定电压和绝对最大额定结温，一般由制造商根据特定的设备或技术给定。
1. 应力持续时间
由内部质量要求、EIA/JESD 47 或适当的采购文件制定。
2. 应力条件（持续提供）
（1）环境温度
除特殊要求，高温应根据最小结温在125℃以下调整；除特殊要求，低温最大值为-10℃。
（2）工作电压
一般工作电压应为器件规定的最大工作电压。可以使用更高的工作电压，以便从电压和温度上加速寿命试验，但一定不能超过绝对最大额定电压。
3. 偏置配置
包括静态或脉冲应力和动态应力。
根据偏置配置、电源电压、输入电压是接地或上升到最大值的选择来确定应力温度，但不高与绝对最大额定结温。
器件输出可加负载也可不加负载，以达到特定的输出电平。
（1）HTFB（高温正向偏置试验）
一般用在功率器件、二极管和分立晶体管器件，不用在集成电路。
设定在静态或脉冲正向偏压模式。脉冲模式用来验证器件在最大额定电流附近承受的应