第529篇：分立式器件的热参数定义

2022-06-28 09:59阅读：

http://blog.sina.cn/dpool/blog/u/1798659367

分立式功率器件的散热量大，在稳定运行时也要关注到瞬态热阻；

第529篇：分立式器件的热参数定义

分立式器件的热参数定义
Symbol	Description
额定功率	PT or Pch	可以施加在半导体器件上的功率上限值，由器件本身决定；
	TC or Tc	封装背面中心的温度或漏极引线根部的温度 C或c:case（外壳）
	TA o

r Ta

封装的周围温度 A或a:anbient（周围）
额定温度	Tch(max)	MOSFET通道(芯片)的极限温度
额定温度	Tstg	存储MOSFET时允许的温度范围；
超限热阻	rth(t)	脉冲功率损耗时，热导率的倒数
稳态热阻	Rth(ch-C) or θch-c	通道与外壳之间的热阻
	Rth(ch-A) or θth	通道与环境之间的热阻
	Rth(ch-C)或 Rth(ch-A)未记载在数据表中时，可根据最大额定值（任何一瞬间也不能超过的额定值）PT以及Tch(max)根据下述公式，计算得出；因产品而异。

举报/Report

我的更多文章

下载客户端阅读体验更佳