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洛伦兹力与霍尔效应

2015-11-09 10:15阅读:
当载流导体或半导体处于与电流相垂直的磁场中时,在其两端将产生电位差,这一现象被称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。
洛伦兹力与霍尔效应
判断洛伦兹力方向(左手定则)
将左手掌摊平,让磁感线穿过手掌心,四指表示正电荷运动方向(电流方向),则和四指垂直的大拇指所指方向即为电子受到洛伦兹力的方向。
洛伦兹力: 洛伦兹力与霍尔效应 基本电荷e=1.6021892×10^-19C
在里侧累积电子,外表面累积了正电荷,形成附加内电场EH称为霍尔电场,在霍尔电场的作用下,电子受到电场力fE
的作用,当电场力fE与洛仑兹力fL大小相等时,达到动态平衡。
洛伦兹力与霍尔效应
洛伦兹力与霍尔效应RH被定义为霍尔元件的霍尔系数。显然,霍尔系数由半导体材料的性质决定,它反映材料霍尔效应的强弱。
洛伦兹力与霍尔效应
金属材料中的自由电子浓度n很高,因此RH很小,不宜作霍尔元件。

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