PVD与CVD的对比
CVD定义：
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等
CVD相对于PVD,有什么优点？
跟材料特性相关的性质——结晶性和理想配比都比较好
薄膜成分和膜厚容易控制
*淀积温度低
*台阶覆盖性好（step coverage)
化学气相淀积系统
气态源或液态源
气体输入管道
气体流量控制系统
反应室
基座加热及控制系统
温度控制及测量系统
减压系统（LPCVD和PECVD)
CVD系统的分类
常压化学气相淀积(APCVD)
低压化学气相淀积(LPCVD)
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
PVD（Physical Vapor Deposition) 定义：
利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。
PVD基本方法
蒸发（Ⅲ-Ⅴ族化合
CVD定义：
通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程
CVD技术特点：
具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点
CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2、多晶硅、非晶硅、氮化硅、金属(钨、钼)等
CVD相对于PVD,有什么优点？
跟材料特性相关的性质——结晶性和理想配比都比较好
薄膜成分和膜厚容易控制
*淀积温度低
*台阶覆盖性好（step coverage)
化学气相淀积系统
气态源或液态源
气体输入管道
气体流量控制系统
反应室
基座加热及控制系统
温度控制及测量系统
减压系统（LPCVD和PECVD)
CVD系统的分类
常压化学气相淀积(APCVD)
低压化学气相淀积(LPCVD)
等离子增强化学气相淀积(PECVD)
PVD（Physical Vapor Deposition) 定义：
利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底表面上，并淀积成薄膜。
PVD基本方法
蒸发（Ⅲ-Ⅴ族化合