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4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE
型号：4N65SE
品牌：ASEMI
封装：ITO-220F
最大漏源电流：4A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：2.5Ω
引脚数量：3
沟道类型：
4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管4N65SE
型号：4N65SE
品牌：ASEMI
封装：ITO-220F
最大漏源电流：4A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：2.5Ω
引脚数量：3
沟道类型：
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N沟道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55~150
4N65SE场效应管
4N65SE的电性参数：最大漏源电流18A；漏源击穿电压200V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=4A
RDS（开）:2.5 （最大值）@VG=10V
芯片尺寸：MIL
漏电流：
恢复时间：5ns
芯片材质：
封装尺寸：如图
特性：高压MOS管、N沟道MOS管
工作结温：-55~150
4N65SE场效应管
4N65SE的电性参数：最大漏源电流18A；漏源击穿电压200V
特征：
低固有电容。
出色的开关特性。
扩展安全操作区域。
无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=650V，Id=4A
RDS（开）:2.5 （最大值）@VG=10V