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7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65
型号：7N65
品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：7A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：1.35Ω
引脚数量：3
芯片个数：
7N65-ASEMI高压N沟道MOS管7N65
型号：7N65
品牌：ASEMI
封装：TO-220
最大漏源电流：7A
漏源击穿电压：650V
RDS（ON）Max：1.35Ω
引脚数量：3
芯片个数：
新浪博客
沟道类型：N沟道MOS管、高压MOS管
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55~150
备受欢迎的7N65 MOS管
•细节体现差距
7N65,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
7N65具体参数为：最大漏源电流：7A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220
漏电流：ua
特性：N沟道MOS管、场效应管
工作温度：-55~150
备受欢迎的7N65 MOS管
•细节体现差距
7N65,ASEMI品牌，工艺芯片，工艺制造，该产品稳定性高，抗冲击能力强。
7N65具体参数为：最大漏源电流：7A，漏源击穿电压：650V，反向恢复时间： ns，封装：TO-220