1.单级CMOS版图分析
单级CMOS版图的重点是分析串并联关系。
MOS管并联:源区连在一起,漏区连在一起。
如例1,N阱中的PMOS从左面第一个开始,到第四个栅后,有源区没有和前面的有源区相连,所以有三个MOS管并联,且后面的必然和这三个属串联关系。
MOS管串联:源漏区首尾相连,整体看只有一个源和一个漏与外部连接。
例如下图N阱中PMOS,两组并联的PMOS,先将各组看为一个栅,则两个栅之间的有源区为首位相连,两组为串联关系。
复杂的版图,先将已分析出的串联管、并联管分别等效为一个MOS管,再分析。
例1.分析过程: 红->蓝->绿

例2.
分析PDN:先把串联栅等效为一个MOS管,可以看出剩下2个漏相连,2个源接地,共有2+2-1即3组MOS管并联,再将合并管恢复。
单级CMOS版图的重点是分析串并联关系。
MOS管并联:源区连在一起,漏区连在一起。
如例1,N阱中的PMOS从左面第一个开始,到第四个栅后,有源区没有和前面的有源区相连,所以有三个MOS管并联,且后面的必然和这三个属串联关系。
MOS管串联:源漏区首尾相连,整体看只有一个源和一个漏与外部连接。
例如下图N阱中PMOS,两组并联的PMOS,先将各组看为一个栅,则两个栅之间的有源区为首位相连,两组为串联关系。
复杂的版图,先将已分析出的串联管、并联管分别等效为一个MOS管,再分析。
例1.分析过程: 红->蓝->绿
