| 01、显影（Develop） 用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域就是光刻胶显影，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。 02、相移掩膜技术（Phase Shift Method，PSM） PSM技术用来克服光通过掩膜版上小孔时发生衍射的相关问题。通过PSM技术，投影掩膜版被一层附加透明层修正一遍改变透光区域使光相移180度。发生相消干涉，从而改善图形对比度。 03、离轴照明（Off-axis Illumination） 由于掩膜版的孔越来越小，所以可以试图让入射光以某角度穿过投影掩膜版，把衍射条文与透镜校准，产生与版图相对应的对称光强剖面。这种技术被称为离轴照明。 04、掩膜版（Photo Mask） 掩膜版通常为石英版，它包含了对整个硅片来说确定一工艺层所需的完整管芯阵列。 05、分辨率（Resolution） 分辨率是将硅片上两个临近的特征图形区分开来的能力。 06、工艺宽容度（Process Tolerance） 光刻工艺中的许多工艺是可变量，而光刻始终如一的处理符合特定要求产品的能力被成为工艺宽容度。 07、正性光刻（Positive Lithography） 复制到硅片表面上的图形与掩膜版相一致的光刻工艺称作正性光刻。 08、负性光刻（Negative Lithography） 曝光后，复制到光刻胶上的图形与掩膜版上的图形相反，这种光刻工艺陈祚负性光刻。 09、光刻胶（Photo Resist） 光刻胶是一种有机物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生 |
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变化。在光刻工艺中，它不仅是图形从掩膜版转移到硅片的媒介，同时在后续工艺中，也起着保护下面材料的作用。
10、光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC）
由于光波衍射、干涉而使光刻图形与掩膜图形产生偏差的现象称为光学邻近效应。在光刻工艺中，光学邻近效应是不可避免的，因此必须采取相应的措施尽可能地减小掩膜图形到硅片图形的变形与偏差，以保证芯片的性能和成品率，这就是OPC。
11、数值孔径（NA）
透镜收集衍射光的能力被称作透镜的数值孔径。对于一个给定的透镜，NA测量透镜能够接受多少衍射光，并且把这些衍射光汇聚到一点进行成像。
12、套准精度（Overlay）
硅片表面上存在的图案与掩膜版上图形的对准精度。
13、焦深（Depth of Focus）
焦点周围的某个范围内，图像可以连续的保持清晰，这个范围被称作焦深。
10、光学邻近效应修正（Optical Proximity Correction，OPC）
由于光波衍射、干涉而使光刻图形与掩膜图形产生偏差的现象称为光学邻近效应。在光刻工艺中，光学邻近效应是不可避免的，因此必须采取相应的措施尽可能地减小掩膜图形到硅片图形的变形与偏差，以保证芯片的性能和成品率，这就是OPC。
11、数值孔径（NA）
透镜收集衍射光的能力被称作透镜的数值孔径。对于一个给定的透镜，NA测量透镜能够接受多少衍射光，并且把这些衍射光汇聚到一点进行成像。
12、套准精度（Overlay）
硅片表面上存在的图案与掩膜版上图形的对准精度。
13、焦深（Depth of Focus）
焦点周围的某个范围内，图像可以连续的保持清晰，这个范围被称作焦深。