张波教授受邀在IEEEElectronDevicesMagazine发表硅基功率半导体技术综述
2025-02-08 15:24阅读：
据学校新闻网消息：
集成电路学院张波教授受邀在IEEE Electron Devices Magazine发表硅基功率半导体技术综述 电子科技大学
成电新闻网
近日，电子科技大学集成电路学院张波教授受邀在IEEE Electron Devices Magazine发表了题为“The Present Status and Future Developments of Si-Based Power Semiconductor Technologies”的综述论文。
IEEE Electron Devices Magazine是IEEE电子器件学会（EDS）的旗舰杂志。杂志为季刊，每期邀请学术界和产业界的领军人物就电子器件及其应用领域的历史、现状和战略撰写专栏文章。本期为杂志2023年创刊以来首次以功率半导体器件为主题，由IEEE Fellow、IEEE Transactions on Electron Devices前主编Giovanni Ghione教授担任客座编辑，邀请了来自电子科技大学、德国英飞凌公司、美国斯坦福大学等行业专家就硅基到宽禁带功率半导体器件展开评述。由我校张波教授、章文通教授撰写的“The Present Status and Future Developments of Si-Based Power Semiconductor Technologies”作为唯一专注于硅基功率半导体技术的综述论文，位列专刊论文之首。
近日，电子科技大学集成电路学院张波教授受邀在IEEE Electron Devices Magazine发表了题为“The Present Status and Future Developments of Si-Based Power Semiconductor Technologies”的综述论文。
IEEE Electron Devices Magazine是IEEE电子器件学会（EDS）的旗舰杂志。杂志为季刊，每期邀请学术界和产业界的领军人物就电子器件及其应用领域的历史、现状和战略撰写专栏文章。本期为杂志2023年创刊以来首次以功率半导体器件为主题，由IEEE Fellow、IEEE Transactions on Electron Devices前主编Giovanni Ghione教授担任客座编辑，邀请了来自电子科技大学、德国英飞凌公司、美国斯坦福大学等行业专家就硅基到宽禁带功率半导体器件展开评述。由我校张波教授、章文通教授撰写的“The Present Status and Future Developments of Si-Based Power Semiconductor Technologies”作为唯一专注于硅基功率半导体技术的综述论文，位列专刊论文之首。
