关于微电子器件的学习（陈星弼版），主要针对电子科技大学考研

微电子学本科四年，考研两次，对微电子器件这本书真的有比较深的认识，电科大的专业课真题也做了很多遍，对专业课老师的出题风格也比较了解，趁着现在对知识还很熟悉，所以在这里写一些关于器件的学习，以及对明（17年）年的一些预测。


第一章：基础方程。包括泊松方程（积分形式，高斯定理要搞清15年考了），输运方程（后面章节的主要推导公式，要记牢），连续性方程，扩散方程（16年考了），以及电荷控制方程（17年有可能会考哦），这一章不用推得太详细，像扩散方程，电荷控制方程可以推导一下，前面的基础方程直接记住。

第二章：PN结。这一章的重点有：
①外加电场（能带、最大电场、耗尽区宽度，势垒电容，扩散电容）的影响
②结定律以及边界条件（小注入&大注入）
③正向导通电压（Vf）与反向饱和电流各种因素变化的变化规律（这两个一起分析）
④击穿特性，两种电击穿的条件，原因，以及典型击穿电压，温度特性等要记牢，必考的。（单边突变结掺杂对Vb影响、三角形，梯形法算Vb，结深，Eg等对Vb影响），两种击穿的比较，最后的防止热击穿。第④章应该是第二章最重要的地方，要全部吃透，想通。
⑤势垒电容与扩散电容，从历年考题来看，主要考这两种电容的存在，变化，以及两者的比较，我的经验是记牢两种电容的公式，（16年考的特多，我扩散电容没记住，吃亏了），这个知识点100%会考，今年考了大题，明年大题可能性不大，不过肯定会在填空，简答出现的。
⑥开关特性。存在的原因，过程，如何减小反向恢复时间。第⑥点基本每年都考，大部分都是简答题画图这种类型，填空主要是电荷来源（原因）：N区的非平衡少子。还有就是减小恢复时间那几个方法。
总结第二章,这章考的比较基础，大题少，能考的大题就是击穿和电容，电容今年考了，我感觉明年大题再考电容机率不大，不过雪崩击穿很久没考，感觉17年大题，有可能，毕竟今年大题考得太全，出题老师肯定会找很久没考的下手了。第二章重要的是理解，填空占了大多数，只要以上这些知识点理解透彻，应该都是些送分题。

第三章：三极管 这章是考的最多