 |
激发辐射的散射将影响样品中元素的特征辐射强度，这是由于散射过程将影响光谱的背景。此外，还存在两个主要的效应:
样品中激发辐射被吸收和由此产生的或由其他元素（基体）发射的荧光辐射。
样品中其他元素的次级激发（增强）。
样品中测试元素的特征谱线的强度会受到其它元素的干扰，典型的干扰如下：
1、逃逸峰
逃逸峰的产生机理：进入硅检测器的X荧光如果其能量比硅的吸收限（1.74KeV）高，那么该入射X荧光会激发出新的硅X荧光，当部分硅的X荧光逃逸出监测器时，探测器只能探测到原入射X荧光损失了1.74KeV之后的能量，从而形成逃逸峰,如图所示。
案例：
(1)物料含高Sn时中测试Cd元素的影响
影响产生的机理：当样品中含有大量的Sn，其Ka