什么是失调电压漂移（Offset Voltage Drift)

定义：当温度变化、时间持续、供电电压等自变量变化时，输入失调电压会发生变
化。输入失调电压随自变量变化的比值，称为失调电压漂移。
因此，有三种漂移量存在：
1）输入失调电压变化相对于温度变化的比值。是指定温度范围内的平均值，以 μV/°C
为单位，用符号 ΔV OS /ΔT 或者 dV OS /dT 表示。
2）相对于时间的比值，以 μV/MO 为单位，含义是每月变化多少微伏。没有明确的符
号，通常用文字表示。本文暂用 dV OS /dMO 表示。
3）相对于电源电压变化的比值，以 μV/V 为单位，含义是调好的放大器，当电源电压
发生 1V 变化，会引起失调电压的变化。没有明确的符号，常用文字表示。此数值在很多
放大器数据手册中没有体现。
优劣范围：0.002μV/°C 到几十 μV/°C。
理解：
失调电压漂移量，与数据手册上标注的失调电压（或称之为初始失调电压）本身有密
切关系。初始失调电压小的，其漂移量也小。从多种运算放大器手册指标看，有以下规律：
1） 温度变化 40~500 度可能带来的失调电压变化，等同于初始失调电压。
2） 10~100 个月带来的失调电压变化，等同于初始失调电压。
因此，要衡量失调电压漂移量，最好能和初始失调电压进行对比。我提出了新指标，
称之为偏移量等效温度 T OD =V OS /dV OS /dT，它描述温度变化多少度会带来一个新的失调电
压。偏移量等效时间 M OD = V OS /dV OS /dMO，它描述持续多少个月，会带来一个新的失调电
压。
比如，两个不同的芯片 AD8675 和 OP177F，V OS 均为 10μV，但是温度漂移量为
AD8675