在追求高效能与高可靠性的工业存储解决方案中，MRAM存储芯片以其独特的非易失性与近乎无限的耐用性，正成为新一代存储技术的焦点。作为NETSOL的代理，英尚推出的NETSOL Parallel STT-MRAM系列存储芯片，专为需要快速数据存取与长期稳定保存的严苛应用而设计，是替代传统NOR Flash、FeRAM与nvSRAM等方案的理想选择。
英尚代理的这款NETSOL MRAM存储芯片，凭借其自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术，实现了高速读写与非易失特性的完美结合。MRAM存储芯片不仅能在断电后永久保存数据，还具备“无限次”读取耐力与高达10^14次的擦写周期，远超常规闪存，极大提升了系统整体寿命与数据完整性。
Parallel STT-MRAM系列存储芯片提供从4Mb到64Mb的多种容量选择，支持1.8V与3.3V两种宽电压供电，兼容性强，可灵活适配不同工业设备的电源设计。MRAM存储芯片标准的Parallel异步接口（x16/x8 I/O）确保与现有系统架构顺畅对接，简化升级流程。
即使在高达85的工业高温环境下，MRAM存储芯片的数据保存期限仍可确保长达20年，无需外部ECC（纠错码）支持，既降低了系统复杂度，也提高了数据存储的可靠性。MRAM存储芯片提供48FBGA、44TSOP2及54TSOP2等多种封装形式，为紧凑型设备布局提供了便利。
作为NETSOL的一级代理商，英尚微电子提供丰富的MRAM产品，具备专业的技术支持团队，能够为客户提供从选型到设计服务。如果您有MRAM产品方面的任何疑问，可以搜索英尚微电子网页。