S3A3204R0M是自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)。它具有SPI总线接口、XIP(就地执行)功能和基于硬件/软件的数据保护机制。SPI(串行外设接口)是带有命令、地址和数据信号的同步串行通信接口。它比并行接口需要更少的引脚数，并且易于在系统上配置。STT-MRAM可以替代具有相同功能和非易失性的闪存、FeRAM或(nv)SRAM。该器件提供多种SPI模式，允许带宽扩展选项。
STT-MRAM的SSPI(单SPI)模式有单(1)个命令信号引脚。用户可以在1引脚、2引脚或4引脚中选择分配多少引脚给地址和数据信号。STT-MRAM的DSPI(双SPI)模式为命令、地址和数据信号提供双(2)引脚。QSPI(四通道SPI)模式为命令、地址和数据信号提供四(4)个引脚。
NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM具有非易失性寄存器位——状态寄存器、配置寄存器、序列号寄存器，增加了512个字节和用于扩充字节的保护寄存器。高电平后上电时，这些寄存器位需要至少置1次温度回流焊工艺。
STT-MRAM提供小尺寸8引脚WSON、8引脚SOIC和24引脚FBGA三种封装。这些封装与类似的低功耗挥发性和非挥发性产品兼容。该器件具有工业(-40°C至85°C)工作温度范围。
NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM性能
STT-MRAM工作频率
-单倍数据速率(SDR):108MHz
-双倍数据速率(DDR):54MHz
支持XIP进行读写操作
快速写入时间和单字节可写
数据保护
-WPpin写保护
-块锁定保护
非易失性状态和配置寄存器
识别
-64位唯一ID
-64位序列号-用户可写
扩充的512字节非易失区
-带用户保护的读写
深度断电以实现低功耗
支持JEDEC复位
存储单元:STT-MRAM
密度：32Mb
数据完整性:不需要外部ECC
STT-MRAM数据耐久性
-无限制的读取周期
-1014个写周期
数据保留：-85°C时20年
单电源操作
-工作电压:1.71~1.98
STT-MRAM工作温度
STT-MRAM的SSPI(单SPI)模式有单(1)个命令信号引脚。用户可以在1引脚、2引脚或4引脚中选择分配多少引脚给地址和数据信号。STT-MRAM的DSPI(双SPI)模式为命令、地址和数据信号提供双(2)引脚。QSPI(四通道SPI)模式为命令、地址和数据信号提供四(4)个引脚。
NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM具有非易失性寄存器位——状态寄存器、配置寄存器、序列号寄存器，增加了512个字节和用于扩充字节的保护寄存器。高电平后上电时，这些寄存器位需要至少置1次温度回流焊工艺。
STT-MRAM提供小尺寸8引脚WSON、8引脚SOIC和24引脚FBGA三种封装。这些封装与类似的低功耗挥发性和非挥发性产品兼容。该器件具有工业(-40°C至85°C)工作温度范围。
NETSOL自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM性能
STT-MRAM工作频率
-单倍数据速率(SDR):108MHz
-双倍数据速率(DDR):54MHz
支持XIP进行读写操作
快速写入时间和单字节可写
数据保护
-WPpin写保护
-块锁定保护
非易失性状态和配置寄存器
识别
-64位唯一ID
-64位序列号-用户可写
扩充的512字节非易失区
-带用户保护的读写
深度断电以实现低功耗
支持JEDEC复位
存储单元:STT-MRAM
密度：32Mb
数据完整性:不需要外部ECC
STT-MRAM数据耐久性
-无限制的读取周期
-1014个写周期
数据保留：-85°C时20年
单电源操作
-工作电压:1.71~1.98
STT-MRAM工作温度