双极型工艺（bipolar)

埋层工艺:
在P型硅片上，在预计制作集电极的正下方某一区域先扩散一层高浓度施主杂志，即N+区；而后在其上再外延生长一层N型硅单晶层，于是N型外延层将N+区埋在下面，再在这一外延层上制作晶体管。
目的：
为了减小集电极串联电阻，制作晶体管时在集电极下面先扩散一层隐埋层，为集电极提供电流低阻通道，减小集电极的串联电阻。
外延工艺：
在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层），然后在衬底生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区，发射区等等，然后形成纵向NPN管结构，外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。
目的：
硅片制造中为了提高硅片的品质，通常在硅片上外延一层纯净度更高的本征硅，或者在高掺杂硅衬底上生长外延层，以防止器件的闩锁（latch up )反应。
SiO2作用：阻碍周边扩散（致密度不高）
Si3N4：阻碍向周边扩散能力强（致密度高）
Si3N4：膨胀系数与Si相差较大，SiO2是过渡

硅栅自对准工艺：
这种工艺是先在生长有栅氧化膜的硅单晶片上淀积一层多晶硅，然后在多晶硅上刻蚀出两个扩散窗口杂志经过窗口热扩散到硅单晶片内形成源和漏扩散区，同时形成导电的多晶栅电极，其位置自动与源和