逸出功

禁带宽度是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就 要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽 度。硅的禁带宽度为 0.8ev,砷化镓比他高得多（具体不记得了，大概是一点几还是二点几）。禁带非常窄就成为金属了，反之则成为绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都合禁 带宽度攸关。
在单电子近似的DFT理论框架里，禁带宽度定义为导带（conduction band）电子和价带（valence band）电子之间的能量差。
逸出功（work function） 又称功函数或脱出功。一个电子从金属或半导体