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合肥长鑫技术001:存储DRAM技术来自于已破产的德国DRAM厂奇梦达

2019-06-10 14:27阅读:
近日,长江存储共同技术长汤强,首次公开将于 8 月推出新一代 3D NAND Flash 技术架构 Xtacking 2.0 技术。
据悉,长江存储先后从 IBM、中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所取得超过 1,500 项专利授权;2015 年又与美国 NOR Flash 大厂飞索半导体(Spansion)技术合作,开发 3D NAND Fla sh,并针对 3D NAND Flash 研发出 Xtacking 技术架构,号称可以加快 I / O(输入 / 输出)接口速度、提高储存容量及缩短上市时程。
与此同时,合肥长鑫技术长朱一明也对外公布合肥长鑫存储 DRAM 技术,是来自于已破产的德国 DRAM 厂奇梦达(Qimonda),以及倒闭并被美光收购的日本 DRAM 公司尔必达(Elplda Memory)前员工。
朱一明说,长鑫存储通过与奇梦达合作,取得 1,000 多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB(兆字节)数据,这是公司最初的技术来源之一。」朱一明强调,除了技术来源之外,再透过自主研发,至今长鑫存储已经拥有 16,000 项专利申请,以及累计投产超过 15,000 片的晶圆。
据了解,2017 年 5 月,合肥长鑫存储宣布投资 72 亿美元,建设 3 期工程,目前是第 1 期工程兴建 12 吋晶圆厂,月产能可达 12.5 万片晶圆。据悉,合肥长鑫存储也将于今年第 4 季,正式量产 8GB LPDDR4 规格的 DRAM 芯片。

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