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磁场屏蔽材料低频电磁波屏蔽材料低频磁场干扰屏蔽1KHz-3000KHz磁场屏蔽材料

2019-08-19 23:22阅读:
一种低频强磁场屏蔽材料。这种屏蔽材料由单层或多层高电导率材料和铁磁性材料构成。屏蔽材料是高电导率材料和铁磁性材料分别按照不同的次序、层数及厚度等方式进行组合。在屏蔽材料制备过程中需对铁磁性材料进行热处理。考虑到高磁导率铁磁性材料在强磁场环境下易发生磁饱和现象,首先选用高抗磁饱和材料来初步减弱强磁场,然后采用高磁导率材料进一步屏蔽弱化后的磁场,在高抗磁饱和材料层和高磁导率材料层之间使用高电导率材料作为磁阻挡层,同时也具有部分屏蔽交变磁场的作用。磁屏蔽材料由高导磁率合金材料制成,用于屏蔽交流磁场和静磁场和微弱磁场的电磁波的电磁分量的一种优异的低频屏蔽材料,低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这时我们所要屏蔽的应该是电磁波的磁场分量,低频电磁波比高频电磁波有更高的磁场分量。因此,对于非常低的干扰频率,屏蔽材料的导磁率要求非常高。

低频磁场屏蔽材料(超高性能款供应,屏蔽低频电磁干扰辐射专业级别材料)
屏蔽效能≥85dB
频率范围1KHz-3000KHz
剩磁≤1nT
尺寸250mmx40M
材料供应单位:深圳市兆荣软磁材料有限公司
材料咨询电话:187 1867 5588
磁场屏蔽材料低频电磁波屏蔽材料低频磁场干扰屏蔽1KHz-3000KHz磁场屏蔽材料
凡是有电源的地方、有用电设备的地方、几百米内有高压电线的地方、几十米内有地下电缆的地方,甚至只有金属管道和金属梁架的地方,都可能有高达数十以至数百毫高斯的低频电磁干扰。低频电磁干扰的强度变化常常无规律可循,短时间内就会有相当大的上下波动;低频电磁干扰的来源往往难以确定,这样就更增加了屏蔽设计的难度。根据电磁波传输的
基本原理,在频率很低的时候,趋肤效应(波从表面进入导电媒质越深,场的幅度就越小,能量就变得越小,这一效应就是趋肤效应。良导体中的电磁波只存在于导体表面,高频电路中,传导电流集中到导线表面附近的现象, 称为“集肤效应”。交变电流通过导体时,由于感应作用引起导体截面上电流分布不均匀,愈近导体表面电流密度越大。这种现象称“趋肤效应”。趋肤效应使导体的有效电阻增加。频率越高,趋肤效应越显著。当频率很高的电流通过导线时,可以认为电流只在导线表面上很薄的一层中流过,这等效于导线的截面减小,电阻增大。既然导线的中心部分几乎没有电流通过,就可以把这中心部分除去以节约材料。因此,在高频电路中可以采用空心导线代替实心导线。此外,为了削弱趋肤效应,在高频电路中也往往使用多股相互绝缘细导线编织成束来代替同样截面积的粗导线,这种多股线束称为辫线。在工业应用方面,利用趋肤效应可以对金属进行表面淬火。)、磁滞损耗(放在交变磁场中的铁磁体,因磁滞现象而产生一些功率损耗,从而使铁磁体发热,这种损耗叫磁滞损耗。铁磁材料在磁化过程中由磁滞现象引起的能量损耗。磁滞指铁磁材料的磁性状态变化时,磁化强度滞后于磁场强度,它的磁通密度B与磁场强度 H之间呈现磁滞回线关系。经一次循环,每单位体积铁心中的磁滞损耗等于磁滞回线的面积。这部分能量转化为热能,使设备升温,效率降低,这在交流电机一类设备中是不希望的。软磁材料的磁滞回线狭窄,其磁滞损耗相对较小。因此而广泛应用于电机、变压器、继电器等设备中。以及反射损耗(反射损耗是指由于屏蔽的内部反射导致的能量损耗的数量,他随着波阻和屏蔽阻抗的比率而变化)都很小,低频电磁波的能量基本由磁场能量构成。所以这时我们所要屏蔽的应该是电磁波的磁场分量(电磁屏蔽的原理是由金属屏蔽体通过对电磁波的反射和吸收来屏蔽辐射干扰源的远区场,即同时屏蔽场源所产生的电场和磁场分量。由于随着频率的增高,波长变得与屏蔽体上孔缝的尺寸相当,从而导致屏蔽体的孔缝泄漏成为电磁屏蔽最关键的控制要素;用钢制机柜进行屏蔽时,由于能为所有连接面提供一条由一个面至另一个面的高导电路径,所以电流仍保持在机箱外侧。这种导电路径是用特殊的衬垫和在连接表面进行导电涂敷而建立的,导电路径的任何中断都将使屏蔽效能降低,它取决于缝隙或孔洞尺寸与信号波长之间的关系。对于较低频率或较长波长来说,如果只有一个小孔则不会明显降低屏蔽效能;对于高频或较短波长来说,屏蔽效能的下降将是很剧烈的。当低频电磁场频率降低至0Hz时,低频电磁场转变为直流磁场。磁化、磁饱和、无磁滞损耗、无涡流损耗(铁磁材料置于交变磁场中时,磁畴相互间不停地摩擦、消耗能量、造成损耗,这种损耗称为磁滞损耗)等等,使直流磁场的屏蔽比低频电磁场屏蔽更加困难。一般选择尽量避开直流磁场干扰源。在条件允许的情况下,也可以用导磁材料把直流磁场干扰源包围,使它发散出来的磁力线在导磁材料内部形成一个闭环回路,减少它对外界的干扰。导磁材料的结构和设备被磁化后也会产生直流磁场,现场实测时经常会发现这种情况,但是一般强度不大于0.5mGauss。同时这种磁场往往是长期稳定的,对仪器设备的干扰不大,所以有时可以忽略这种直流磁场的影响。中高频电磁场在这个范围里(一般是从1000Hz到1MHz),电磁波的能量比重逐渐由磁场分量向电场分量倾斜,趋肤效应、磁滞损耗还有反射损耗等逐渐显得不可继续忽略了,频率变化的影响也不像在低频范围里那样可以忽略不计了,屏蔽机理也随之逐渐由侧重屏蔽磁场分量转向侧重屏蔽电场分量。高频电磁场高频(1MHz以上)电磁波除了具有低频电磁波的电磁感应特性外,还具有低频电磁波很少具有的折射性和反射性。根据电磁波传输的基本原理,在频率很高的时候,趋肤效应、涡流损耗以及反射损耗和折射损耗都将在屏蔽机理中有充分的表现。高频电磁波的能量基本由电场分量构成。所以这时我们所要屏蔽的是电磁波的电场分量。屏蔽高频电场干扰的基本原理是容抗并联旁路。通过在干扰源与被屏蔽点之间加入一个屏蔽层,并使屏蔽层对地容抗无限小(等效屏蔽层接地),来保护被屏蔽点不受干扰源通过杂散分布电容而耦合过来的干扰。

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