如图2.5.2所示的IGBT的等效电路可见，IGBT内部存在一个寄生三极管T3。和一个阻值很小的体区电阻Rb，当IGBT导通时，体区电阻Rb上就会产生—定的电压降，为寄生
三极管T3提供一个正向偏置电压。在规定的集电极电流范围内，这个正向偏置电压很低，不会使寄生三极管T3导通，因此，T3的存在对IGBT的工作没有影响。但当集电极电流Ic因某种原因大到一定程度时，体区电阻R b上的电压就会增大到能使寄生三极管T3导通的程度。T3的导通将与输出级三极管T2形成正反馈环，即T3的导通将使T2导通得更充分，导通电流增大，而T2导通电流的增大，又使体区电阻Rb的电压上升，T3的导通能力增强。于是，这个正反馈过程使T3将很快进入饱和状态．并且与T2形成导通自锁，使栅极失去控制作构，输出级三极管
三极管T3提供一个正向偏置电压。在规定的集电极电流范围内，这个正向偏置电压很低，不会使寄生三极管T3导通，因此，T3的存在对IGBT的工作没有影响。但当集电极电流Ic因某种原因大到一定程度时，体区电阻R b上的电压就会增大到能使寄生三极管T3导通的程度。T3的导通将与输出级三极管T2形成正反馈环，即T3的导通将使T2导通得更充分，导通电流增大，而T2导通电流的增大，又使体区电阻Rb的电压上升，T3的导通能力增强。于是，这个正反馈过程使T3将很快进入饱和状态．并且与T2形成导通自锁，使栅极失去控制作构，输出级三极管