新浪博客

比较CMOS与CCD传感器的功耗

2014-05-06 09:28阅读:
【科天健www.rocketech.cc CMOS图像传感器只需一个(35V单电源供电,其功耗仅为CCD1/10;而CCD需要3路电源来满足特殊时钟驱动的需要,其功耗相对较大。 CMOS图像传感器与CCD具体性能的比较如表2.1所示。CMOS图像传感器良好的集成性、低功耗等特点,满足了MAVs对成像系统微型化的要求,是昼间型微型成像系统的理想选择。
CCD(电荷耦合器件,Charge Coupled Device),是70年代初发展起来的新型半导体光电成像器件。美国贝尔实验室的W.S.BoyleG.E.Smith1970年提出了CCD的概念,随后建立了以一维势阱模型为基础的非稳态CCD
的基本理论。30多年来,随着新型半导体材料的不断涌现和器件微细化技术的日趋完备,CCD技术得到了较快的发展。目前,CCD技术已广泛应用于信号处理、数字存贮及影像传感等领域。其中,CCD技术在影像传感中的应用最为广泛,已成为现代光电子学和测试技术中最活跃、最富有成果的领域之一。

CMOSCCD图像传感器的性能比较

CMOS图像传感器
CCD
暗电流(pA/m2)
10100
10
灵敏度


噪声电子数
20
50
FPN (%)
可在逻辑电路中校正
< l
DRNU (%)
< 10
110
工艺难度


光敏元放大器


信号输出
行、列开关控制,可随机采样
逐个光敏元输出,只能按规定的程序输出
ADC
片内集成
片外设置
逻辑电路
片向集成
片外设置
接口电路
片向集成
片外设置
驱动电路
片向集成
片外设置,电路设计复杂


我的更多文章

下载客户端阅读体验更佳

APP专享