推挽拓扑MOSFET管

在推挽拓扑中使用 MOSFET 管，可以大大减少变压器 的磁通不平衡问题。变压器在半周期内施加的伏秒数不等于另半周期内施加的伏秒数 ，变压器磁心就会向一个方向磁化 。经过多个周期以后 ，磁心巳远离磁化曲 线中心点并达到饱和 ，不能再承受电源电压，导致开关频率管接栅极驱动损坏。
基于以下两个原因 ，MOSFET管可以减少推挽拓扑中磁通不平衡问题 。首先，MOSFET 管没有存储时间 ，在交 替的半周期内，对于相等的栅极导通次数 ，漏极电压导通次数总是相等 。因此在交替的半周期中施加到变压器上的伏在j数相等。对于双极型晶体管 ，由于存储时间的不相甲等 ，在交替的半周期中伏秒数也不相等 。第 二 ，对于MOSFET管，rds的正温度系数形成的负反馈阻止了磁通不平衡问题的产生 。如果存在一定的 不平衡磁通 ，磁心就会沿着磁化曲线向上移动 ，从而产生了磁化电流 。因此半周期内的总电 流比另一个半周期内的总电流要大 但 MOSFET 管在更大的尖峰 电流作用下，发热会增加 ，它的 rds 增大，导通压降也增大 。这个增大的压降导致半初级电压被消耗一部分，造成伏秒数下降 ，磁心又向磁化曲线的中心复位 。
上面两个效应都试图阻止严重的磁通不平衡的发生 。但是这两种效应不能保证在所有功 率等级、温度和磁心材料的情况 F都产生效果 。通常解决磁通不平衡问题的办法是使用电流 模式拓扑 。但如果因为某种原因不能用电流模式拓扑 ，就可以使用由 MOSFET管构成的传统的推挽电路来解决磁通不平衡问题 ，功率等级可以达150W，很多设计人员 已经成功地运用了这个方案。
由 MOSFET 管构成的推挽电路的优点 ，如图所示。这个简单的结构可以彻底消除由于 rds 不同带来的剩余磁通不平衡 。当磁通不平衡时，一个晶体管的电流将大于另个晶体管的功耗电流 。具有更大电流的 MOSFET 管将产生更大的伏秒数 。
磁通不平衡也可以通过将一个依靠经验