半导体器件包括ESD保护电路，但是要确保按照JEDEC标准的有效性和可靠性要求，必须进行ESD测试以使零件合格。ESD测试共有三种主要测试模型：人体模型（HBM），充电设备模型（CDM）和机器模型（MM）。
静电放电（ESD）和过电应力（EOS）事件可能发生在任何地方，例如制造和装配过程区域，生产测试环境，运输和现场应用。
EOS和ESD可能是由于瞬态，过大的电源电流，不良的接地，电源电压与地之间的电阻路径低，引脚短路以及电路的内部损坏而由用户的应用引起的。如果暴露在超出数据手册规格的条件下，该IC最终可能会发生故障。
在数据表规格范围内操作时，EOS损坏不会由组件的内部条件引起，因此，在出现异常情况时会发生。由于接地不当，测试和处理设备会积累静电荷，当静电荷接触时，静电荷会通过IC传输。
HBM模拟由于人体放电而产生的ESD，人们被认为是ESD的主要来源，而HBM
静电放电（ESD）和过电应力（EOS）事件可能发生在任何地方，例如制造和装配过程区域，生产测试环境，运输和现场应用。
EOS和ESD可能是由于瞬态，过大的电源电流，不良的接地，电源电压与地之间的电阻路径低，引脚短路以及电路的内部损坏而由用户的应用引起的。如果暴露在超出数据手册规格的条件下，该IC最终可能会发生故障。
在数据表规格范围内操作时，EOS损坏不会由组件的内部条件引起，因此，在出现异常情况时会发生。由于接地不当，测试和处理设备会积累静电荷，当静电荷接触时，静电荷会通过IC传输。
HBM模拟由于人体放电而产生的ESD，人们被认为是ESD的主要来源，而HBM
