POI衬底在最顶层是一层大概几百纳米厚的单晶的压电层，在它之下是一层氧化埋层，大概也是几百纳米厚度，在最底下基底的部分是高电阻率硅材料。
本月初，法国半导体公司Soitec宣布他们将为高通的4G、5G射频滤波器供应POI衬底材料。POI衬底相比传统的TC-SAW和BAW方案，可以提供更高性能的谐振器，在品质因数、耦合系数、频率温度系数等各测量维度均有优势。
POI用的压电材料和当前一般使用在SAW（声表面波）滤波器用的材料一样，主要包括两种材料，分别是钽酸锂和铌酸锂。而这里的氧化埋层相当于温度补偿层，作用是抑制压电材料，因为压电材料在温度变化的时候可能会扩张或者收缩，从而影响到频率，因而需要氧化埋层抑制压电材料，即器件层的钽酸锂或铌酸锂。
而底层的高电阻率硅的作用是减少损耗。能够在极薄的压电层限制波能等效。而由于能很好地控制整个压电层，可以在压电层获得更好的等效的波传播。
因此，主要的射频前端生产商已经开始生产以POI为衬底的滤波器，主
本月初，法国半导体公司Soitec宣布他们将为高通的4G、5G射频滤波器供应POI衬底材料。POI衬底相比传统的TC-SAW和BAW方案，可以提供更高性能的谐振器，在品质因数、耦合系数、频率温度系数等各测量维度均有优势。
POI用的压电材料和当前一般使用在SAW（声表面波）滤波器用的材料一样，主要包括两种材料，分别是钽酸锂和铌酸锂。而这里的氧化埋层相当于温度补偿层，作用是抑制压电材料，因为压电材料在温度变化的时候可能会扩张或者收缩，从而影响到频率，因而需要氧化埋层抑制压电材料，即器件层的钽酸锂或铌酸锂。
而底层的高电阻率硅的作用是减少损耗。能够在极薄的压电层限制波能等效。而由于能很好地控制整个压电层，可以在压电层获得更好的等效的波传播。
因此，主要的射频前端生产商已经开始生产以POI为衬底的滤波器，主