砷化镓(GaAs)
HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
特点：
HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：
特征频率fT高；
最高振荡频率fmax高；
厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；
基区穿通电压较高；
当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应
应用如下：
微波、毫米波放大和震荡移动通信化合物超高速数字电路低温电路（Si/SiGe HBT）
高温电路（AlGaN/GaN HBT）超高增益放大电路（PET和MISTJET）
HEMT
HEMT（High Electron Mobility Transistor），高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。
这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。
HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气（2-DEG）存在于调制掺杂的异质结中，这种2-DEG不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能, 可用于低温研究工作 (如分数量子Hall效应) 中。
具有很好的高频、高速性能
PHEMT
Pseudomorphic HEMT
PHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET）
PHEMT的基本器件结构是n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs/i–GaAs型式，这里采用了不掺杂的i–InGaAs层作为沟道层，相应的能带配置状况如图所示。因为InGaAs的禁带宽度较窄，则在异质结n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs界面处形成的势阱深度（ΔEc）较大，
HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
特点：
HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：
特征频率fT高；
最高振荡频率fmax高；
厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；
基区穿通电压较高；
当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应
应用如下：
微波、毫米波放大和震荡移动通信化合物超高速数字电路低温电路（Si/SiGe HBT）
高温电路（AlGaN/GaN HBT）超高增益放大电路（PET和MISTJET）
HEMT
HEMT（High Electron Mobility Transistor），高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。
这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。
HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气（2-DEG）存在于调制掺杂的异质结中，这种2-DEG不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能, 可用于低温研究工作 (如分数量子Hall效应) 中。
具有很好的高频、高速性能
PHEMT
Pseudomorphic HEMT
PHEMT是对高电子迁移率晶体管（HEMT）的一种改进结构，也称为赝调制掺杂异质结场效应晶体管（PMODFET）
PHEMT的基本器件结构是n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs/i–GaAs型式，这里采用了不掺杂的i–InGaAs层作为沟道层，相应的能带配置状况如图所示。因为InGaAs的禁带宽度较窄，则在异质结n+-AlxGa1-xAs/i-InGaAs界面处形成的势阱深度（ΔEc）较大，