工业设备通常即使在恶劣的操作环境中，也需要防止数据丢失和长期保存数据。数据还必须保证在停电时快速安全地获得备份。能够充分执行该作用的存储器，在工业设备中至关重要。
MRAM基于磁隧道结效应，通过磁场改变电阻状态来存储数据，融合了DRAM的高速读写特性与闪存的断电数据保存能力。MRAM芯片优势包括近乎无限的读写次数、纳秒级写入速度、低功耗以及与逻辑芯片的高兼容性，特别适用于工业控制、汽车电子等高可靠性应用场景。
NETSOL推出的MRAM芯片采用自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术，配备SPI串行外设接口，支持XIP（就地执行）功能，具备硬件与软件相结合的数据保护机制，显著提升了工业环境中的数据安全性与访问效率。
NETSOL MRAM芯片优势
与SRAM不同，无需外接电压控制器、电池或电池插座；也无需类似nvSRAM所需的电容器。
可在突发断电时确保数据安全，恢复时间极短。
MRAM芯片的数据保存期限可达10年以上。
MRAM芯片可以提供多级数据保护与保密功能。
NETSOL MRAM芯片在工业机械中的数据储存
工作频率：MRAM芯片支持108MHz SDR与54MHz DDR
写入方式：快速写入，支持单字节写入
数据保护：支持写保护引脚（WP）及块锁定保护
存储密度：32Mb
数据完整性：无需外部ECC校验
耐久性：读取无限次，写入次数高达10^14次
数据保存：在85°C环境下可保持20年
供电电压：提供3V与1.8V两种版本
温度范围：支持-40°C至85°C工业级温度
封装形式：MRAM芯片符合RoHS标准的8引脚WSON、SOIC及24引脚FBGA封装
NETSOL MRAM芯片凭借其高可靠性与实时数据保护能力，已广泛应用于以下工业设备：
工业计算机（工控机）
可编程逻辑控制器（PLC）
人机界面（HMI）
其他需要高可靠数据存储的工控设备
深圳市英尚微电子有限公司是一家具有综合竞争优势的电子元件产品供应商及存储方案技术提供商。我们以存储芯片，半导体产品，单片机，蓝牙芯片及微动开关等产品为主，如需进一步了解该产品数据或样品，请搜索英尚微电子网页进行申请。
MRAM基于磁隧道结效应，通过磁场改变电阻状态来存储数据，融合了DRAM的高速读写特性与闪存的断电数据保存能力。MRAM芯片优势包括近乎无限的读写次数、纳秒级写入速度、低功耗以及与逻辑芯片的高兼容性，特别适用于工业控制、汽车电子等高可靠性应用场景。
NETSOL推出的MRAM芯片采用自旋转移扭矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）技术，配备SPI串行外设接口，支持XIP（就地执行）功能，具备硬件与软件相结合的数据保护机制，显著提升了工业环境中的数据安全性与访问效率。
NETSOL MRAM芯片优势
与SRAM不同，无需外接电压控制器、电池或电池插座；也无需类似nvSRAM所需的电容器。
可在突发断电时确保数据安全，恢复时间极短。
MRAM芯片的数据保存期限可达10年以上。
MRAM芯片可以提供多级数据保护与保密功能。
NETSOL MRAM芯片在工业机械中的数据储存
工作频率：MRAM芯片支持108MHz SDR与54MHz DDR
写入方式：快速写入，支持单字节写入
数据保护：支持写保护引脚（WP）及块锁定保护
存储密度：32Mb
数据完整性：无需外部ECC校验
耐久性：读取无限次，写入次数高达10^14次
数据保存：在85°C环境下可保持20年
供电电压：提供3V与1.8V两种版本
温度范围：支持-40°C至85°C工业级温度
封装形式：MRAM芯片符合RoHS标准的8引脚WSON、SOIC及24引脚FBGA封装
NETSOL MRAM芯片凭借其高可靠性与实时数据保护能力，已广泛应用于以下工业设备：
工业计算机（工控机）
可编程逻辑控制器（PLC）
人机界面（HMI）
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