IGBT驱动电路也是采用类似干功率MOSFET的直接驱动电路和推挽式驱动电路形式，在一般情况下、功率MOSFET的栅极驱动电路与IGBT的栅极驱动电路形式是一致的。
图3.2.18是由555构成的IGBT驱动电路，电路中555接成施密特触发器形式，用以提高电路的可靠性。当光电藕合器OP1的发送侧在输入信号控制下有电流通过时，OP1接收侧的光电三极管导通，施密特触发器输入低电平，经反相后由555的3脚输出高电乎，使IGBT导通；而当OP1的发送侧在输入信号控制下无电流通过时，OP1接收侧的光电三极管截止，施密特触发器输入高电平，经反相后由555的3脚输出低电平，使IGBT截止。
电路中的R5和D2构成一个简单的稳压电路，使IGBT的发射极电位高于555的公共端电位。于是当555输出高电平时，IGBT的栅极输入正偏压；当555输出低电平时，IGBT的栅极与发射极之间为负偏压，这有利于提高IGBT截止时的可靠性。但应注意此电路中555的供电电源与IGBT所驱动的负载电源是两组电源。
图3.2.18是由555构成的IGBT驱动电路，电路中555接成施密特触发器形式，用以提高电路的可靠性。当光电藕合器OP1的发送侧在输入信号控制下有电流通过时，OP1接收侧的光电三极管导通，施密特触发器输入低电平，经反相后由555的3脚输出高电乎，使IGBT导通；而当OP1的发送侧在输入信号控制下无电流通过时，OP1接收侧的光电三极管截止，施密特触发器输入高电平，经反相后由555的3脚输出低电平，使IGBT截止。
电路中的R5和D2构成一个简单的稳压电路，使IGBT的发射极电位高于555的公共端电位。于是当555输出高电平时，IGBT的栅极输入正偏压；当555输出低电平时，IGBT的栅极与发射极之间为负偏压，这有利于提高IGBT截止时的可靠性。但应注意此电路中555的供电电源与IGBT所驱动的负载电源是两组电源。