关注5G基站建设带动的第三代半导体受益标的

第三代半导体宽禁带材料SiC、GaN可以满足现有Si基半导体不能胜任的功用，是国家战略发展方向，5G宏基站和小基站射频功率放大器将极大提升第三代半导体需求，建议关注龙头业绩放量。

一、什么是第三代半导体?

第一代半导体材料是Si和Ge，应用在目前95%以上半导体器件中;第二代半导体以GaAs、InP为主，但价格昂贵还有毒性；第三代半导体是SiC、GaN等宽禁带半导体材料。
目前SiC衬底技术相对简单，国内已实现4英寸量产，6英寸的研发也已经完成。
GaN制备技术仍有待提升，国内企业目前可以小批量生产2英寸衬底，具备了4英寸衬底生产能力,并开发出6英寸样品。

二、第三代半导体有什么优势?

第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，可以满足现代电子技术对高温、高功率、 高压、高频以及高辐射等恶劣条件的新要求，相比Si基半导体可以降低50%以上的能量损失，最高可以使装备体积减小75%以上。
由于摩尔定律已经接近极限，传统Si晶体管性能进一步提升困难，新型底层材料是未来半导体的突破路径之一。
先进半导体材料已上升到国家战略层面，2025中国制造中规划到2025年要实现5G、高效能源管理国产化率达50%，新能源车、消费电子实现规模应用，通用照明渗透率达80%。

三、5G基站建设有第三代半导体的身影吗?

目前基站射频用功率放大器主要为LDMOS技术，但LDMOS技术适用于低频段，在高频领域存在局限性。
GaN射频器件更能有效满足5G高功率、高通信频段的要求，未来5